Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 9, страницы 896–901
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49828.20
(Mi phts5167)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXIV Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника, Нижний Новгород, 10-13 марта 2020 г.

Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с модифицируемой поверхностью

А. В. Иконниковa, В. C. Дудинa, А. И. Артамкинa, А. Н. Акимовb, А. Э. Климовbc, О. Е. Терещенкоbd, Л. И. Рябоваa, Д. Р. Хохловae

a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Новосибирский государственный технический университет
d Новосибирский государственный университет
e Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация: Представлены результаты исследований оптических и транспортных свойств эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с различной обработкой поверхности. Сравнительный анализ полученных данных позволил установить, что характерные особенности спектров фотопроводимости определяются процессами в объеме пленки, а поверхностные состояния на спектры практически не влияют. При этом кинетика фотоотклика и скорость релаксационных процессов в существенной степени зависят от состояния поверхности. Характерные времена релаксации неравновесных носителей заряда (порядка нескольких мс) позволяют использовать методы стандартной фурье-спектроскопии для характеризации оптических переходов в объеме.
Ключевые слова: фотопроводимость, кинетика релаксации, поверхностные состояния, PbSnTe.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-02-00795
20-02-00324
Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты № 18-02-00795, 20-02-00324).
Поступила в редакцию: 15.04.2020
Исправленный вариант: 21.04.2020
Принята в печать: 21.04.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 9, Pages 1086–1091
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620090134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Иконников, В. C. Дудин, А. И. Артамкин, А. Н. Акимов, А. Э. Климов, О. Е. Терещенко, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с модифицируемой поверхностью”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 896–901; Semiconductors, 54:9 (2020), 1086–1091
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IkoDudArt20}
\by А.~В.~Иконников, В.~C.~Дудин, А.~И.~Артамкин, А.~Н.~Акимов, А.~Э.~Климов, О.~Е.~Терещенко, Л.~И.~Рябова, Д.~Р.~Хохлов
\paper Оптические и транспортные свойства эпитаксиальных пленок Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) с модифицируемой поверхностью
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 896--901
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5167}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.09.49828.20}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44154195 }
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 9
\pages 1086--1091
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620090134}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5167
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i9/p896
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:69
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024