Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1355–1363
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50237.9372
(Mi phts5111)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Углеродные системы

Наносетчатые пленки из углеродных нанотрубок с Х-соединениями для электронных и фотовольтаических приложений

О. Е. Глухова, М. М. Слепченков, К. Р. Асанов

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
Аннотация: Исследованы атомная структура, электронные и оптоэлектронные свойства наносетчатых пленок из углеродных нанотрубок с бесшовными крестообразными Х-соединениями. Установлено, что топология расположения негексагональных элементов в области контакта нанотрубок определяет энергетическую стабильность атомной структуры. Выявлено, что размеры поры пленки определяют тип проводимости. При наименьших размерах поры пленка характеризуется металлическим типом проводимости, с увеличением размера поры щель в зонной структуре увеличивается и пленка становится полупроводниковой. Пленки с минимальным размером щели имеют хорошие фотовольтаические характеристики. Фототок для рассмотренных моделей пленки может достигать 2.4 мА $\cdot$ см$^{-2}$ в условиях атмосферы и 3.25 мА $\cdot$ см$^{-2}$ вне атмосферы. Наличие щели в зонной структуре делает наносетчатые пленки перспективными для нано- и оптоэлектроники.
Ключевые слова: наносетки, углеродные нанотрубки, спектр поглощения, электропроводность, фототок.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации МК-2373.2019.2
Работа выполнена при поддержке гранта Президента Российской Федерации для государственной поддержки научных исследований молодых российских ученых – кандидатов наук МК-2373.2019.2.
Поступила в редакцию: 17.02.2020
Исправленный вариант: 03.08.2020
Принята в печать: 10.08.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1616–1623
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120088
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Е. Глухова, М. М. Слепченков, К. Р. Асанов, “Наносетчатые пленки из углеродных нанотрубок с Х-соединениями для электронных и фотовольтаических приложений”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1355–1363; Semiconductors, 54:12 (2020), 1616–1623
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GluSleAsa20}
\by О.~Е.~Глухова, М.~М.~Слепченков, К.~Р.~Асанов
\paper Наносетчатые пленки из углеродных нанотрубок с Х-соединениями для электронных и фотовольтаических приложений
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1355--1363
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5111}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50237.9372}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44368071}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1616--1623
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120088}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5111
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1355
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024