|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$
И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Аннотация:
Методом Бриджмена выращены монокристаллы соединений In$_{2}$S$_{3}$, AgIn$_{5}$S$_{8}$ и твердых растворов (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$, определен их состав и структура. Установлено, что как исходные соединения, так и твердые растворы на их основе кристаллизуются в кубической структуре шпинели. Рассчитаны параметры элементарной ячейки указанных монокристаллов и построена их концентрационная зависимость. Показано, что в исследуемой системе выполняется закон Вегарда. Исследованы спектры пропускания в области края фундаментального поглощения при комнатной температуре и определена ширина запрещенной ($E_{g}$) для указанных монокристаллов. Показано, что $E_{g}$ с составом $x$ изменяется с отклонением от линейности.
Ключевые слова:
монокристаллы, кристаллическая структура, твердые растворы, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.
Поступила в редакцию: 10.08.2020 Исправленный вариант: 15.08.2020 Принята в печать: 15.08.2020
Образец цитирования:
И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко, “Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1350–1354; Semiconductors, 54:12 (2020), 1611–1615
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5110 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1350
|
|