Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1350–1354
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50236.9500
(Mi phts5110)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$

И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Аннотация: Методом Бриджмена выращены монокристаллы соединений In$_{2}$S$_{3}$, AgIn$_{5}$S$_{8}$ и твердых растворов (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$, определен их состав и структура. Установлено, что как исходные соединения, так и твердые растворы на их основе кристаллизуются в кубической структуре шпинели. Рассчитаны параметры элементарной ячейки указанных монокристаллов и построена их концентрационная зависимость. Показано, что в исследуемой системе выполняется закон Вегарда. Исследованы спектры пропускания в области края фундаментального поглощения при комнатной температуре и определена ширина запрещенной ($E_{g}$) для указанных монокристаллов. Показано, что $E_{g}$ с составом $x$ изменяется с отклонением от линейности.
Ключевые слова: монокристаллы, кристаллическая структура, твердые растворы, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.
Финансовая поддержка Номер гранта
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований Т20МВ-007
Работа выполнена при поддержке Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований (проект Т20МВ-007).
Поступила в редакцию: 10.08.2020
Исправленный вариант: 15.08.2020
Принята в печать: 15.08.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1611–1615
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120039
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Боднарь, А. А. Фещенко, В. В. Хорошко, “Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1350–1354; Semiconductors, 54:12 (2020), 1611–1615
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BonFesKho20}
\by И.~В.~Боднарь, А.~А.~Фещенко, В.~В.~Хорошко
\paper Ширина запрещенной зоны монокристаллов твердых растворов (In$_{2}$S$_3$)$_{x}$(AgIn$_{5}$S$_8$)$_{1-x}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1350--1354
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5110}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50236.9500}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44368070}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1611--1615
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120039}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5110
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1350
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024