Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 9, страницы 729–732
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51285.12
(Mi phts4973)
 

XXV Международный симпозиум "Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 9-12 марта 2021 г.

Терагерцовое стимулированное излучение при оптическом резонансном возбуждении германия, легированного мелкими донорами

Р. Х. Жукавин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Рассмотрены механизмы, ответственные за терагерцовое стимулированное излучение при резонансном внутрицентровом возбуждении мелких доноров в германии: инверсионный лазерный механизм и электронное вынужденное комбинационное рассеяние света. Проведены оценки сечения электронного вынужденного комбинационного рассеяния света в случае резонансного возбуждения нечетных уровней мелкого донора мышьяка в объемном германии. Проведены расчеты выходной интенсивности при резонансном возбуждении германия, легированного мышьяком. Показано, что при интенсивности, превышающей пороговую для электронного вынужденного комбинационного рассеяния света, должна наблюдаться конкуренция механизмов, приводящая к снижению интенсивности инверсионного лазерного механизма, что может быть обнаружено по зависимости выходной интенсивности от времени.
Ключевые слова: германий, доноры, инверсия, терагерцовое стимулированное излучение, вынужденное комбинационное рассеяние.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-20163
Работа выполнена при поддержке РНФ (проект 19-72-20163).
Поступила в редакцию: 12.04.2021
Исправленный вариант: 19.04.2021
Принята в печать: 19.04.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 10, Pages 804–807
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621090244
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Х. Жукавин, “Терагерцовое стимулированное излучение при оптическом резонансном возбуждении германия, легированного мелкими донорами”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 729–732; Semiconductors, 55:10 (2021), 804–807
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Zhu21}
\by Р.~Х.~Жукавин
\paper Терагерцовое стимулированное излучение при оптическом резонансном возбуждении германия, легированного мелкими донорами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 9
\pages 729--732
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4973}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51285.12}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46491075}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 804--807
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621090244}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4973
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i9/p729
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024