|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1985 |
1. |
О. В. Богданкевич, М. М. Зверев, Н. Н. Костин, С. П. Копыт, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Е. В. Матвеенко, В. Ф. Певцов, В. А. Ушахин, В. К. Якушин, “Неохлаждаемые импульсные лазеры на сульфиде кадмия и арсениде галлия с продольной накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 12:7 (1985), 1517–1519 [O. V. Bogdankevich, M. M. Zverev, N. N. Kostin, S. P. Kopyt, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, E. V. Matveenko, V. F. Pevtsov, V. A. Ushakhin, V. K. Yakushin, “Uncooled pulsed cadmium sulfide and gallium arsenide lasers pumped longitudinally by an electron beam”, Sov J Quantum Electron, 15:7 (1985), 1000–1002 ] |
6
|
|
1980 |
2. |
Ю. А. Акимов, А. А. Буров, Е. А. Загаринский, И. В. Крюкова, В. И. Лескович, Е. В. Матвеенко, Б. М. Степанов, “Полупроводниковый лазер с перестраиваемой длиной волны излучения на основе четверных соединений $Ga_xIn_{1-x}As_ySb_{1-y}$”, Квантовая электроника, 7:3 (1980), 644–646 [Yu. A. Akimov, A. A. Burov, E. A. Zagarinskii, I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, E. V. Matveenko, B. M. Stepanov, “Tunable $Ga_xIn_{1-x}As_ySb_{1-y}$ quaternary semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 10:3 (1980), 368–369 ] |
2
|
|
1979 |
3. |
И. В. Крюкова, В. И. Лескович, Е. В. Матвеенко, “О механизмах генерации лазерного излучения в эпитаксиальном InAs при электронном возбуждении”, Квантовая электроника, 6:7 (1979), 1401–1408 [I. V. Kryukova, V. I. Leskovich, E. V. Matveenko, “Mechanisms of laser action in epitaxial InAs subjected to electron beam excitation”, Sov J Quantum Electron, 9:7 (1979), 823–827] |
|
1978 |
4. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, И. В. Крюкова, А. Н. Лапшин, В. И. Лескович, Е. В. Матвеенко, М. Г. Мильвидский, “Эффективная генерация полупроводникового лазера на основе Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> в спектральном диапазоне 1,8–2,4 мкм при комнатной температуре”, Квантовая электроника, 5:1 (1978), 126–128 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, I. V. Kryukova, A. N. Lapshin, V. I. Leskovich, E. V. Matveenko, M. G. Mil'vidskii, “Efficient room-temperature stimulated emission from a Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> semiconductor laser in the spectral range 1.8–2.4 μ”, Sov J Quantum Electron, 8:1 (1978), 66–67] |
2
|
|
1976 |
5. |
Л. М. Долгинов, Л. В. Дружинина, Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Е. В. Матвеенко, Ю. В. Петрушенко, С. П. Прокофьева, В. П. Цыганов, Е. Г. Шевченко, “Спонтанное и стимулированное излучение твердых растворов Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As, GaAs<sub>x</sub>Sb<sub>1–x</sub> и Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>1–y</sub>P<sub>y</sub>”, Квантовая электроника, 3:11 (1976), 2490–2494 [L. M. Dolginov, L. V. Druzhinina, E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, E. V. Matveenko, Yu. V. Petrushenko, S. P. Prokof'eva, V. P. Tsyganov, E. G. Shevchenko, “Spontaneous and stimulated emission from Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As, GaAs<sub>x</sub>Sb<sub>1–x</sub>, and Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>1–y</sub>P<sub>y</sub> solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 6:11 (1976), 1367–1369] |
6. |
В. И. Гурфинкель, И. В. Крюкова, В. В. Лебедев, В. И. Лескович, Г. Б. Лунькина, Е. В. Матвеенко, С. С. Стрельченко, Н. П. Хатырев, В. А. Чапнин, “Стимулированное излучение InAs при электронном возбуждении”, Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1601–1605 [V. I. Gurfinkel', I. V. Kryukova, V V Lebedev, V. I. Leskovich, G. B. Lun'kina, E. V. Matveenko, S. S. Strel'chenko, N. P. Khatyrev, V. A. Chapnin, “Electron-beam-excited stimulated emission from InAs”, Sov J Quantum Electron, 6:7 (1976), 868–870] |
|
1974 |
7. |
Е. М. Красавина, И. В. Крюкова, Е. В. Матвеенко, Ю. В. Петрушенко, “Исследование фотолюминесценции и параметров лазерного излучения при электронном возбуждении
легированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As”, Квантовая электроника, 1:12 (1974), 2602–2607 [E. M. Krasavina, I. V. Kryukova, E. V. Matveenko, Yu. V. Petrushenko, “Investigation of the photoluminescence and parameters of laser radiation generated by electron excitation of Al$_x$Ga$_{1-x}$As solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 4:12 (1975), 1446–1449] |
|