Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Шейнкман Моисей Кивович
(1929–2009)
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 54
Научных статей: 52

Статистика просмотров:
Эта страница:67
Страницы публикаций:2370
Полные тексты:1081
член-корреспондент НАН Украины
профессор
доктор физико-математических наук (1968)

Научная биография:

Шейнкман, Моисей Кивович. Неравновесные процессы в полупроводниках типа $A_2B_6$ : диссертация ... : доктора физико-математических наук : 01.00.00 / М.К. Шейнкман. - Киев, 1968. - 446 с. : ил. + Прил. (131 с. : ил.).

Профессор (1970).

Член-корреспондент Академии наук УССР (1988).
   
Основные публикации:
  • Неравновесные процессы в фотопроводниках / В. Е. Лашкарев, А. В. Любченко, М. К. Шейнкман. - Киев : Наук. думка, 1981. - 264 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person92079
https://www.rujen.ru/index.php/ШЕЙНКМАН_Моисей_Кивович
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
1992
1. В. П. Панов, Г. Д. Панова, М. К. Шейнкман, “Долговременные релаксации проводимости, обусловленные фотостимулированной диффузией кислорода по межзеренным границам в пленках сульфида кадмия”, Физика и техника полупроводников, 26:1 (1992),  95–101  mathnet
1991
2. В. Ф. Бритун, Н. Я. Горидько, В. А. Корчная, Г. Н. Семёнова, М. Я. Скороход, Ю. А. Тхорик, Л. С. Хазан, М. К. Шейнкман, “Стимулированные ультразвуком структурные изменения в напряженных гетеросистемах”, Физика твердого тела, 33:8 (1991),  2340–2344  mathnet  isi
3. Т. В. Торчинская, В. А. Воротинский, Ж. С. Абдуллаев, М. К. Шейнкман, “Кинетика деградации красных AlGaAs светоизлучающих диодов”, ЖТФ, 61:2 (1991),  98–103  mathnet  isi
4. Б. М. Булах, Б. Р. Джумаев, Н. Е. Корсунская, Н. Р. Кулиш, М. П. Лисица, Н. И. Малыш, С. О. Сергеев, М. К. Шейнкман, “Влияние отжига в парах собственных компонентов на поглощение света в области урбаховского края CdSe”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  1946–1951  mathnet
5. И. А. Дроздова, Н. Е. Корсунская, И. В. Маркевич, Е. П. Шульга, М. К. Шейнкман, “Образование структуры, ответственной за аномальную температурную зависимость проводимости грани (0001) кристаллов CdS”, Физика и техника полупроводников, 25:9 (1991),  1629–1633  mathnet
6. Б. Н. Бабенцов, С. И. Горбань, И. Я. Городецкий, Н. Е. Корсунская, И. М. Раренко, М. К. Шейнкман, “Влияние ультразвуковой обработки на экситонную и примесную люминесценцию CdTe”, Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1243–1245  mathnet
7. Г. Гарягдыев, И. Я. Городецкий, Б. Р. Джумаев, Н. Е. Корсунская, И. М. Раренко, М. К. Шейнкман, “Механизмы изменения электрических и фотоэлектрических свойств монокристаллов твердых растворов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Te под действием ультразвука”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  409–412  mathnet
8. А. Т. Лупу, А. З. Мереуцэ, И. Б. Пузин, А. В. Сырбу, Г. И. Суручану, М. К. Шейнкман, Г. К. Шерварлы, В. П. Яковлев, “Электрофизические характеристики низкопорогового ($I_{n}=1.3$ мА, $T=300$ K) квантоворазмерного AlGaAs, лазерного диода с зарощенной гетероструктурой, полученные НЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  4–8  mathnet  isi
1990
9. Т. В. Торчинская, А. Г. Карабаев, М. К. Шейнкман, “Инжекционно-стимулированная трансформация спектров люминесценции зеленых GaP : N-светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1337–1348  mathnet
10. В. П. Панов, Г. Д. Панова, А. М. Туриев, М. К. Шейнкман, “Нестабильность проводимости пленок сульфида кадмия, обусловленная фотостимулированной диффузией кислорода”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  388–390  mathnet
11. С. Б. Нечкин, И. Б. Пузин, М. К. Шейнкман, Т. К. Шерварлы, В. П. Блаже, А. З. Мереуцэ, А. В. Сырбу, В. П. Яковлев, “Емкостные характеристики зарощенных квантоворазмерных AlGaAs лазеров, полученных методом НЖЭ”, Письма в ЖТФ, 16:15 (1990),  56–59  mathnet  isi
12. И. А. Буянова, А. У. Савчук, М. К. Шейнкман, “Фотостимулированное преобразование EL2 люминесценции самокомпенсированного арсенида галлия”, Письма в ЖТФ, 16:2 (1990),  40–43  mathnet  isi
1989
13. А. П. Здебский, Д. И. Кропман, М. К. Шейнкман, “Влияние ультразвука на точечные дефекты в структурах Si$-$SiO$_{2}$”, ЖТФ, 59:8 (1989),  131–134  mathnet  isi
14. В. Н. Абакумов, А. А. Пахомов, М. К. Шейнкман, И. Н. Яссиевич, “Новый «электронный» механизм энергетической релаксации локальных колебаний сильно возбужденных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2232–2234  mathnet
15. Б. И. Лев, Т. В. Торчинская, П. М. Томчук, М. К. Шейнкман, “Кинетика инжекционно-стимулированного преобразования дефектов в светоизлучающих GaAs : Si-структурах”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1529–1538  mathnet
16. В. Б. Матульский, Б. В. Павлык, М. К. Шейнкман, “Эффект эмиссии Cd с поверхности кристаллов CdTe в процессе их деформации”, Письма в ЖТФ, 15:16 (1989),  16–18  mathnet  isi 1
17. А. П. Здебский, И. Б. Пузин, М. К. Шейнкман, Г. К. Шерварлы, “Исследование влияния ультразвуковой обработки на электрофизические параметры светоизлучающих двойных гетероструктур на основе GaAs$-$AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  28–34  mathnet  isi
1988
18. Н. В. Горбенко, М. А. Танатар, М. К. Шейнкман, И. А. Юрченко, “Спектральные характеристики светодиодов Au$-$ZnS”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988),  1915–1918  mathnet
19. Н. В. Горбенко, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, М. К. Шейнкман, “Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au$-$ZnS”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1651–1656  mathnet
20. Т. В. Торчинская, А. Г. Карабаев, Ж. С. Абдуллаев, А. А. Шматов, М. К. Шейнкман, “Некоторые причины нестабильности свечения GaP : N светодиодов”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1710–1716  mathnet  isi
21. Е. И. Оборина, С. С. Остапенко, М. К. Шейнкман, “Активационный характер оптического восстановления люминесценции ЕL 2 центров в арсениде галлия”, Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1067–1071  mathnet  isi
1987
22. А. П. Здебский, М. К. Шейнкман, А. Н. Аннаниязов, Г. Гарягдыев, “Влияние ультразвукового нагружения на акустические и электрические характеристики CdS”, Физика твердого тела, 29:4 (1987),  1135–1140  mathnet  isi
23. К. И. Походня, Ю. В. Сушко, М. А. Танатар, В. Н. Быков, М. К. Шейнкман, “Особенности проводящих свойств сильно дефектных кристаллов $\beta$-(BEDT$-$TTF)$_{2}$I$_{3}$”, Физика твердого тела, 29:3 (1987),  884–887  mathnet  isi
24. А. Гарягдыев, И. Я. Городецкий, Н. Е. Корсунская, И. В. Маркевич, О. Нурягдыев, М. К. Шейнкман, “Механизм фотостимулированной диссоциации ДА пар в кристаллах CdS и твердых растворах CdS$_{x}$Se$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  400–403  mathnet
25. Е. Ю. Брайловский, А. П. Здебский, В. Л. Корчная, Г. Н. Семёнова, М. Я. Скороход, Ю. А. Тхорик, Л. С. Xазан, М. К. Шейнкман, “Акустостимулированная релаксация внутренних механических напряжений в гетероструктурах”, Письма в ЖТФ, 13:21 (1987),  1310–1313  mathnet  isi
26. Т. В. Торчинская, М. К. Шейнкман, “Связь кинетики деградации $Ga\,P:N$, $Zn-O$ светодиодов с интенсивностью красной полосы свечения”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987),  1221–1227  mathnet  isi
27. А. П. Здебский, М. И. Лисянский, Н. Б. Лукьянчикова, М. К. Шейнкман, “Влияние ультразвуковой обработки на вольтамперные и шумовые характеристики туннельных диодов из $Ga\,As$”, Письма в ЖТФ, 13:16 (1987),  1009–1013  mathnet  isi
1986
28. А. П. Здебский, Н. В. Миронюк, С. С. Остапенко, А. У. Савчук, М. К. Шейнкман, “Механизм стимулированного ультразвуком изменения фотоэлектрических и люминесцентных свойств сульфида кадмия”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1861–1867  mathnet
29. И. А. Буянова, С. С. Остапенко, М. К. Шейнкман, “Симметрия и модель сложного центра поляризованной фото- и термолюминесценции в монокристаллах GaP”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1791–1800  mathnet
30. Т. В. Торчинская, А. А. Шматов, В. И. Строчков, М. К. Шейнкман, “Преобразование глубоких центров в процессе деградации GaP$\langle$N, Zn$-$O$\rangle$ светоизлучающих диодов”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  701–707  mathnet
31. Н. В. Горбенко, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, М. К. Шейнкман, “Излучательная рекомбинация на донорно-акцепторных парах в области объемного заряда Au$-$ZnS-диодов”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  619–624  mathnet
32. А. П. Здебский, М. К. Шейнкман, А. Н. Аннаниязов, Г. Гарягдыев, “Фотоиндуцированное изменение скорости звука в центросимметричных кристаллах во внешнем электрическом поле”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1134–1137  mathnet  isi
33. А. П. Здебский, В. Л. Корчная, Т. В. Торчинская, М. К. Шейнкман, “Стимулированное ультразвуком изменение электрических и люминесцентных характеристик $In\,Ga\,As:Si$ световодов”, Письма в ЖТФ, 12:2 (1986),  76–81  mathnet  isi
1985
34. Н. С. Богданюк, А. П. Галушка, С. С. Остапенко, М. К. Шейнкман, “Сложный центр вспышечной люминесценции в облученных электронами монокристаллах CdS”, Физика твердого тела, 27:7 (1985),  1921–1928  mathnet  isi
35. И. Я. Буянова, С. С. Остапенко, М. К. Шейнкман, “Поляризованная люминесценция глубоких центров в монокристаллах GaAs : Sn(Te)”, Физика твердого тела, 27:3 (1985),  748–756  mathnet  isi
36. Ю. В. Воробьев, Е. И. Толпыго, М. К. Шейнкман, “Оже-взаимодействие электронов с комплексами точечных центров в некоторых полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ II.  Сопоставление теории с экспериментом”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2139–2144  mathnet
37. Ю. В. Воробьев, Е. И. Толпыго, М. К. Шейнкман, “Оже-взаимодействие электронов с комплексами точечных центров в некоторых полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ I.  Теория”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2131–2138  mathnet
38. В. С. Вихнин, М. К. Шейнкман, “Квантовая диффузия дефектов в возбужденных состояниях”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1577–1584  mathnet
39. Б. М. Горелов, О. А. Коротченков, И. В. Островский, М. К. Шейнкман, “Ионизация ультразвуком глубоких центров в сульфиде цинка”, Письма в ЖТФ, 11:21 (1985),  1315–1320  mathnet  isi
40. Б. Ембергенов, Н. Е. Корсунская, Л. Г. Суховерхова, М. К. Шейнкман, “Голографические решетки в кристаллах CdS:Cu с дифракционной эффективностью, зависящей от интенсивности считывающего пучка”, Квантовая электроника, 12:3 (1985),  603–605  mathnet [B. Embergenov, N. E. Korsunskaya, L. G. Sukhoverkhova, M. K. Sheǐnkman, “Holographic gratings in CdS:Cu crystals with a diffraction efficiency dependent on the readout beam intensity”, Sov J Quantum Electron, 15:3 (1985), 391–392  isi]
41. М. И. Клингер, Ч. Б. Лущик, Т. В. Машовец, Г. А. Холодарь, М. К. Шейнкман, М. А. Эланго, “Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений”, УФН, 147:3 (1985),  523–558  mathnet 57
1984
42. М. А. Ризаханов, М. К. Шейнкман, “Детальные механизмы электронных переходов краевого излучения в широкозонных соединениях A$^{\text{II}}$B$^{\text{VI}}$”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984),  1788–1794  mathnet
43. Н. С. Богданюк, А. П. Галушка, С. С. Остапенко, М. К. Шейнкман, “Механизм вспышки «красной» люминесценции в облученных электронами монокристаллах CdS”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  305–311  mathnet
44. А. П. Здебский, С. С. Остапенко, А. У. Савчук, М. К. Шейнкман, “Стимулированное ультразвуковыми колебаниями преобразование люминесцентных и акустических характеристик монокристаллов CdS”, Письма в ЖТФ, 10:20 (1984),  1243–1247  mathnet  isi
1983
45. Ю. В. Воробьев, Е. В. Локтев, Л. И. Филина, А. М. Цюпа, М. К. Шейнкман, “Влияние магнитного поля на ход ионизационных процессов, обусловленных электронами верхних долин $c$-зоны в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2093–2095  mathnet
46. В. Ф. Гринь, М. А. Ризаханов, М. К. Шейнкман, Г. А. Шепельский, “Новая серия краевого излучения CdS в электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2086–2088  mathnet
47. Е. А. Сальков, Н. И. Тарбаев, М. К. Шейнкман, Г. А. Шепельский, “Излучательная и безызлучательная рекомбинация сульфида кадмия при низкотемпературной пластической деформации”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1835–1840  mathnet
48. С. Г. Абдуллаева, В. А. Алиев, Н. Т. Мамедов, М. К. Шейнкман, “Особенности отрицательных фотоэффектов в кристаллах TlGaSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1787–1790  mathnet
49. И. Б. Ермолович, М. К. Шейнкман, В. А. Санитаров, И. П. Калинкин, Л. А. Александрова, “Особенности примесной люминесценции твердых растворов на основе селенидов и теллуридов кадмия”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1454–1458  mathnet
1966
50. М. К. Шейнкман, А. В. Любченко, “Два параллельных механизма захвата носителей на один рекомбинационный центр”, Докл. АН СССР, 167:4 (1966),  795–798  mathnet
1965
51. В. Е. Лашкарев, А. В. Любченко, М. К. Шейнкман, “Определение параметров рекомбинационных центров в сульфиде кадмия с помощью кинетики инфракрасного гашения фототока”, Докл. АН СССР, 161:6 (1965),  1310–1312  mathnet
1957
52. В. Е. Лашкарев, Е. А. Сальков, А. Г. Федорус, М. К. Шейнкман, “О форме спектрального распределения фотопроводимости монокристаллов $\mathrm{CdS}$”, Докл. АН СССР, 114:6 (1957),  1203–1205  mathnet
1991
53. Э. И. Заварицкая, И. А. Ипатова, Д. Н. Мирлин, В. Н. Мурзин, С. А. Пермогоров, Г. Е. Пикус, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, С. Г. Тиходеев, М. К. Шейнкман, И. П. Акимченко, В. С. Вавилов, “О XX Международной конференции по физике полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991),  1263–1273  mathnet
1975
54. Н. Н. Боголюбов, Б. М. Вул, С. Г. Калашников, С. И. Пекар, Э. И. Рашба, О. В. Снитко, К. Б. Толпыго, М. К. Шейнкман, “Памяти Вадима Евгеньевича Лашкарева”, УФН, 117:2 (1975),  377–378  mathnet; N. N. Bogolyubov, B. M. Vul, S. G. Kalashnikov, S. I. Pekar, E. I. Rashba, O. V. Snitko, K. B. Tolpygo, M. K. Sheǐnkman, “Vadim Evgen'evich Lashkarev (obituary)”, Phys. Usp., 18:10 (1975), 842–843 1

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024