Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 1985, том 147, номер 3, страницы 523–558
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0147.198511d.0523 (Mi ufn8396) 		 
Эта публикация цитируется в 57 научных статьях (всего в 57 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений

М. И. Клингерa, Ч. Б. Лущикb, Т. В. Машовецa, Г. А. Холодарьc, М. К. Шейнкманd, М. А. Элангоb

a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
b Институт физики АН ЭССР
c Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко
d Институт физики полупроводников АН УССР, г. Киев
PDF полного текста (2722 kB) Список цитирования (57)
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0147.198511d.0523
Аннотация: Рассмотрен новый тип безызлучательных переходов в неметаллических твердых телах, сопровождаемых не выделением тепла, а большими (по сравнению с межатомными расстояниями) смещениями отдельных атомов. Дана классификация таких нестабильностей в кристаллах и стеклах (электростатических, электронно-колебательных, структурных), ведущих к рождению дефектов. Описаны процессы дефектообразования как в ионных кристаллах при распаде автолокализующихся экситонов, так и в полупроводниках при многократной ионизации атомов вблизи исходно существующих заряженных центров примесей. Обсуждены механизмы перестройки сложных дефектов в полупроводниках при введении неравновесных носителей тока и при рекомбинации электронов и дырок. Рассмотрена роль носителей тока при тепловом создании дефектов. Обсужден механизм образования своеобразных дефектов в стеклообразных полупроводниках. Ил. 19. Библиогр. ссылок 212 (216 назв.).
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1985, Volume 28, Issue 11
DOI: https://doi.org/10.1070/PU1985v028n11ABEH003977
Тип публикации: Статья
УДК: 538.95
PACS: 61.72.Cc, 71.35.Aa, 61.43.Dq, 61.82.Fk
Образец цитирования: М. И. Клингер, Ч. Б. Лущик, Т. В. Машовец, Г. А. Холодарь, М. К. Шейнкман, М. А. Эланго, “Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений”, УФН, 147:3 (1985), 523–558
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KliLusMas85}
\by М.~И.~Клингер, Ч.~Б.~Лущик, Т.~В.~Машовец, Г.~А.~Холодарь, М.~К.~Шейнкман, М.~А.~Эланго
\paper Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений
\jour УФН
\yr 1985
\vol 147
\issue 3
\pages 523--558
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn8396}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0147.198511d.0523}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn8396
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v147/i3/p523
    • Эта публикация цитируется в следующих 57 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024