|
Эта публикация цитируется в 57 научных статьях (всего в 57 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений
М. И. Клингерa, Ч. Б. Лущикb, Т. В. Машовецa, Г. А. Холодарьc, М. К. Шейнкманd, М. А. Элангоb a Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград
b Институт физики АН ЭССР
c Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко
d Институт физики полупроводников АН УССР, г. Киев
Аннотация:
Рассмотрен новый тип безызлучательных переходов в неметаллических твердых телах, сопровождаемых не выделением тепла, а большими (по сравнению с межатомными расстояниями) смещениями отдельных атомов. Дана классификация таких нестабильностей в кристаллах и стеклах (электростатических, электронно-колебательных, структурных), ведущих к рождению дефектов. Описаны процессы дефектообразования как в ионных кристаллах при распаде автолокализующихся экситонов, так и в полупроводниках при многократной ионизации атомов вблизи исходно существующих заряженных центров примесей. Обсуждены механизмы перестройки сложных дефектов в полупроводниках при введении неравновесных носителей тока и при рекомбинации электронов и дырок. Рассмотрена роль носителей тока при тепловом создании дефектов. Обсужден механизм образования своеобразных дефектов в стеклообразных полупроводниках. Ил. 19. Библиогр. ссылок 212 (216 назв.).
Образец цитирования:
М. И. Клингер, Ч. Б. Лущик, Т. В. Машовец, Г. А. Холодарь, М. К. Шейнкман, М. А. Эланго, “Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений”, УФН, 147:3 (1985), 523–558
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn8396 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v147/i3/p523
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 24 |
|