|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
К. Э. Авджян, А. Г. Алексанян, Р. К. Казарян, Л. А. Матевосян, Г. Э. Мирзабекян, “Лазерное нанесение и оптическое исследование тонких пленок Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> различного состава”, Квантовая электроника, 15:1 (1988), 181–183  [K. È. Avdzhyan, A. G. Aleksanyan, R. K. Kazaryan, L. A. Matevosyan, G. É. Mirzabekyan, “Laser deposition and optical investigation of thin Ga<sub>x</sub>In<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> films of various compositions”, Sov J Quantum Electron, 18:1 (1988), 117–119  ] |
2
|
|
1984 |
| 2. |
К. Э. Авджян, А. Г. Алексанян, Н. Ш. Беллуян, Р. К. Казарян, Л. Л. Матевосян, “Квантовые размерные эффекты в периодической структуре InSb–GaAs и в пленках Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub>, полученных лазерным напылением”, Квантовая электроника, 11:6 (1984), 1264–1266 [K. È. Avdzhyan, A. G. Aleksanyan, N. Sh. Belluyan, R. K. Kazaryan, L. L. Matevosyan, “Quantum size effects in a periodic InSb–GaAs structure and in Ga<sub>x</sub>ln<sub>1–x</sub>As<sub>y</sub>Sb<sub>1–y</sub> films prepared by laser evaporation”, Sov J Quantum Electron, 14:6 (1984), 854–655 ] |
| 3. |
А. Г. Алексанян, Р. К. Казарян, A. M. Хачатрян, “Полупроводниковый лазер на основе Вi<sub>1–x</sub>Sb<sub>x</sub>”, Квантовая электроника, 11:3 (1984), 492–496 [A. G. Aleksanyan, R. K. Kazaryan, A. M. Khachatryan, “Semiconductor laser made of Bi<sub>1–x</sub>Sb<sub>x</sub>”, Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 336–338 ] |
6
|
|
1982 |
| 4. |
Р. К. Казарян, “Определение эффективного сечения вынужденного излучения в неодимовом лазере с селективным резонатором”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1781–1784 [R. K. Kazaryan, “Determination of the effective stimulated emission cross section for a neodymium laser with a selective resonator”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1147–1149 ] |
1
|
|
Обратная связь: