|
Квантовая электроника, 1984, том 11, номер 3, страницы 492–496
(Mi qe4896)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Полупроводниковый лазер на основе Вi1–xSbx
А. Г. Алексанян, Р. К. Казарян, A. M. Хачатрян Институт радиофизики и электроники АН АрмССР, г. Аштарак
Аннотация:
Приводятся экспериментальные данные о генерации излучения с длиной волны около 100 мкм лазером на основе Вi1–xSbx. Проведены теоретические оценки пороговой концентрации электронно-дырочных пар n. Показано, что генерация возникает при n ≈ 4 · 1015см–3, температуре 16 K и токе 1,4 А.
Поступила в редакцию: 15.04.1983
Образец цитирования:
А. Г. Алексанян, Р. К. Казарян, A. M. Хачатрян, “Полупроводниковый лазер на основе Вi1–xSbx”, Квантовая электроника, 11:3 (1984), 492–496 [Sov J Quantum Electron, 14:3 (1984), 336–338]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe4896 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v11/i3/p492
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 111 | PDF полного текста: | 63 | Первая страница: | 1 |
|