|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2010 |
| 1. |
В. Я. Алешкин, Т. С. Бабушкина, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, В. И. Некоркин, “Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности”, Квантовая электроника, 40:10 (2010), 855–857   [V. Ya. Aleshkin, T. S. Babushkina, A. A. Biryukov, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. N. Kolesnikov, V. I. Nekorkin, “Leaky-wave semiconductor laser with improved energetic characteristics and very narrow dirrectional pattern”, Quantum Electron., 40:10 (2010), 855–857   ] |
6
|
|
1990 |
| 2. |
А. В. Шмалько, В. Ф. Ламекин, В. Л. Смирнов, А. С. Полянцев, Ю. И. Коган, Т. С. Бабушкина, Т. С. Кунцевич, О. Г. Пешковская, “Фотоприемные волноводные структуры на основе эпитаксиальных слоев InGaAs для оптических интегральных схем на полупроводниковых соединениях A<sup>III</sup>B<sup>V</sup>”, Квантовая электроника, 17:8 (1990), 1072–1073 [A. V. Shmal'ko, V. F. Lamekin, V. L. Smirnov, A. S. Polyantsev, Yu. I. Kogan, T. S. Babushkina, T. S. Kuntsevich, O. G. Peshkovskaya, “Photodetector waveguide structures made of epitaxial InGaAs films and intended for integrated circuits manufactured from III-V semiconductor compounds”, Sov J Quantum Electron, 20:8 (1990), 987–989 ] |
|
Обратная связь: