|
Квантовая электроника, 2010, том 40, номер 10, страницы 855–857
(Mi qe14405)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Лазеры
Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности
В. Я. Алешкинa, Т. С. Бабушкинаb, А. А. Бирюковb, А. А. Дубиновa, Б. Н. Звонковb, М. Н. Колесниковb, В. И. Некоркинb a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
На основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP создан полупроводниковый лазерный диод с выводом излучения через подложку, что позволило получить в лазере с длиной резонатора 0.8 мм и шириной полоскового контакта 360 мкм значительный выход излучения в узком угловом интервале (около 1 — 28) с энергией излучения 170 мкДж в режиме накачки одиночным импульсом тока с амплитудой 88 А и длительностью 5 мкс.
Поступила в редакцию: 20.07.2010
Образец цитирования:
В. Я. Алешкин, Т. С. Бабушкина, А. А. Бирюков, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. Н. Колесников, В. И. Некоркин, “Полупроводниковый лазер с выводом излучения через подложку с улучшенными энергетическими характеристиками и сверхузкой диаграммой направленности”, Квантовая электроника, 40:10 (2010), 855–857 [Quantum Electron., 40:10 (2010), 855–857]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe14405 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v40/i10/p855
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 308 | PDF полного текста: | 148 | Список литературы: | 42 | Первая страница: | 1 |
|