|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2011 |
1. |
Д. В. Высоцкий, Н. Н. Ёлкин, А. П. Напартович, В. И. Козловский, Б. М. Лаврушин, “Моделирование полупроводникового лазера на основе резонансной решетки квантовых ям с внешним зеркалом”, Квантовая электроника, 41:9 (2011), 769–775 [D. V. Vysotskii, N. N. Ëlkin, A. P. Napartovich, V. I. Kozlovsky, B. M. Lavrushin, “Modelling of a diode laser with a resonant grating of quantum wells and an external mirror”, Quantum Electron., 41:9 (2011), 769–775 ] |
3
|
|
2009 |
2. |
Д. В. Высоцкий, Н. Н. Ёлкин, А. П. Напартович, В. И. Козловский, Б. М. Лаврушин, “Моделирование полупроводникового лазера на основе наноразмерной гетероструктуры с продольной накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 39:11 (2009), 1028–1032 [D. V. Vysotskii, N. N. Ëlkin, A. P. Napartovich, V. I. Kozlovsky, B. M. Lavrushin, “Simulation of a longitudinally electron-beam-pumped nanoheterostructure semiconductor laser”, Quantum Electron., 39:11 (2009), 1028–1032 ] |
6
|
3. |
В. И. Козловский, Б. М. Лаврушин, Я. К. Скасырский, М. Д. Тибери, “Лазер с внешним резонатором, работающий на длине волны 625 нм при оптической накачке наноструктуры InGaP/AlGaInP с брэгговским зеркалом”, Квантовая электроника, 39:8 (2009), 731–734 [V. I. Kozlovsky, B. M. Lavrushin, Ya. K. Skasyrsky, M. D. Tiberi, “Vertical-external-cavity surface-emitting 625-nm laser upon optical pumping of an InGaP/AlGaInP nanostructure with a Bragg mirror”, Quantum Electron., 39:8 (2009), 731–734 ] |
10
|
|
1989 |
4. |
Б. Г. Борисов, Б. М. Лаврушин, А. С. Насибов, М. Н. Сыпченко, Б. Л. Шерман, “Лазер с продольной накачкой CdHgTe электронным пучком”, Квантовая электроника, 16:10 (1989), 2034–2036 [B. G. Borisov, B. M. Lavrushin, A. S. Nasibov, M. N. Sypchenko, B. L. Sherman, “Longitudinal electron-beam-pumped CdHgTe laser”, Sov J Quantum Electron, 19:10 (1989), 1309–1310 ] |
|
1988 |
5. |
Б. М. Лаврушин, Р. Ф. Набиев, Ю. М. Попов, “Поглощение света в полупроводниковых соединениях
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
$p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988), 710–715 |
6. |
Б. М. Лаврушин, Р. Ф. Набиев, Ю. М. Попов, “Влияние легирования на пороговые характеристики лазеров на основе GaAs”, Квантовая электроника, 15:1 (1988), 78–84 [B. M. Lavrushin, R. F. Nabiev, Yu. M. Popov, “Influence of doping on the threshold characteristics of GaAs lasers”, Sov J Quantum Electron, 18:1 (1988), 50–53 ] |
|
1987 |
7. |
Д. В. Галченков, А. А. Губарев, Б. М. Лаврушин, А. С. Насибов, П. В. Резников, О. В. Чернышева, “Лазерная ЭЛТ мощностью 5 Вт с дифференциальной эффективностью 14% при 300 K”, Письма в ЖТФ, 13:11 (1987), 689–693 |
8. |
А. А. Губарев, В. И. Козловский, Б. М. Лаврушин, А. С. Насибов, П. В. Резников, “Высокоэффективный полупроводниковый лазер с продольной накачкой арсенида галлия сканирующим электронным пучком”, Квантовая электроника, 14:1 (1987), 170–176 [A. A. Gubarev, V. I. Kozlovsky, B. M. Lavrushin, A. S. Nasibov, P. V. Reznikov, “Highly efficient semiconductor laser with longitudinal pumping of gallium arsenide by a scanning electron beam”, Sov J Quantum Electron, 17:1 (1987), 97–101 ] |
|
1985 |
9. |
Б. М. Лаврушин, Р. Ф. Набиев, А. С. Насибов, Ю. М. Попов, “Влияние экранированного кулоновского взаимодействия на спектры оптического усиления в CdS”, Квантовая электроника, 12:5 (1985), 1084–1086 [B. M. Lavrushin, R. F. Nabiev, A. S. Nasibov, Yu. M. Popov, “Influence of screened Coulomb interaction on the optical amplification spectra of CdS”, Sov J Quantum Electron, 15:5 (1985), 714–715 ] |
10. |
А. Г. Брагинская, В. И. Козловский, Г. П. Колчина, Б. М. Лаврушин, А. С. Насибов, П. В. Резников, “Сканируемые и непрерывные лазеры на основе GaSb с продольной накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 12:4 (1985), 845–848 [A. G. Braginskaya, V. I. Kozlovsky, G. P. Kolchina, B. M. Lavrushin, A. S. Nasibov, P. V. Reznikov, “Scanned and cw GaSb lasers with longitudinal electron beam pumping”, Sov J Quantum Electron, 15:4 (1985), 551–553 ] |
|
1976 |
11. |
Б. М. Лаврушин, Е. С. Шемчук, “Перспективы применения полупроводниковых лазеров с накачкой электронным пучком в проекционном
телевидении”, Квантовая электроника, 3:12 (1976), 2605–2609 [B. M. Lavrushin, E. S. Shemchuk, “Prospects for the use of electron-beam-pumped semiconductor lasers in projection television”, Sov J Quantum Electron, 6:12 (1976), 1434–1436] |
1
|
12. |
О. В. Богданкевич, Б. М. Лаврушин, О. В. Матвеев, В. Ф. Певцов, М. М. Халимон, “Лазер с накачкой электронным пучком на гетероструктуре ZnSe – ZnS”, Квантовая электроника, 3:3 (1976), 612–614 [O. V. Bogdankevich, B. M. Lavrushin, O. V. Matveev, V. F. Pevtsov, M. M. Khalimon, “Electron-beam-pumped ZnSe-ZnS heterolaser”, Sov J Quantum Electron, 6:3 (1976), 329–331] |
4
|
13. |
С. А. Бондарь, Н. А. Борисов, Д. В. Галченков, Б. М. Лаврушин, В. В. Лебедев, С. С. Стрельченко, “Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком на основе многослойных гетероструктур
Ga<sub>1–x</sub>ln<sub>x</sub>As<sub>1–y</sub>Sb<sub>y</sub>”, Квантовая электроника, 3:1 (1976), 94–100 [S. A. Bondar', N. A. Borisov, D. V. Galchenkov, B. M. Lavrushin, V. V. Lebedev, S. S. Strel'chenko, “Electron-beam-pumped semiconductor laser utilizing multilayer Ga<sub>1–x</sub>ln<sub>x</sub>As<sub>1–y</sub>Sb<sub>y</sub> heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 6:1 (1976), 50–53] |
3
|
|
1975 |
14. |
О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, А. Н. Георгобиани, В. Б. Гутан, 3. И. Илюхина, Б. М. Лаврушин, О. В. Матвеев, Е. И. Панесюк, В. Ф. Певцов, Н. Л. Полетаев, “Плавная перестройка частоты генерации в лазерах с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 2:10 (1975), 2231–2237 [O. V. Bogdankevich, N. A. Borisov, A. N. Georgobiani, V. B. Gutan, Z. I. Ilyukhina, B. M. Lavrushin, O. V. Matveev, E. I. Panesyuk, V. F. Pevtsov, N. L. Poletaev, “Continuous tuning of the emission frequency of electronbeam- pumped lasers”, Sov J Quantum Electron, 5:10 (1975), 1215–1218] |
1
|
15. |
О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, Б. А. Брюнеткин, С. А. Дарзнек, Б. М. Лаврушин, “Селекция продольных мод в резонаторе с периодическим распределением диэлектрической проницаемости”, Квантовая электроника, 2:7 (1975), 1459–1464 [O. V. Bogdankevich, N. A. Borisov, B. A. Bryunetkin, S. A. Darznek, B. M. Lavrushin, “Longitudinal mode selection in a resonator with a periodic permittivity distribution”, Sov J Quantum Electron, 5:7 (1975), 783–786] |
|
1974 |
16. |
Н. А. Борисов, Б. М. Лаврушин, Л. В. Лебедева, С. С. Стрельченко, “Параметры лазера с электронной накачкой на арсениде галлия с двойным легированием”, Квантовая электроника, 1:11 (1974), 2399–2406 [N. A. Borisov, B. M. Lavrushin, L. V. Lebedeva, S. S. Strel'chenko, “Parameters of an electron-beam-pumped double-doped gallium arsenide laser”, Sov J Quantum Electron, 4:11 (1975), 1332–1336] |
|
1972 |
17. |
Н. А. Борисов, А. А. Давыдов, Б. М. Лаврушин, Е. В. Марков, “О влиянии механической обработки резонатора на параметры лазера на сульфиде кадмия с электронным возбуждением”, Квантовая электроника, 1972, № 6(12), 115–116 [N. A. Borisov, A. A. Davydov, B. M. Lavrushin, E. V. Markov, “Influence of mechanical treatment of the resonator on the parameters of an electron-beam-pumped cadmium sulfide laser”, Sov J Quantum Electron, 2:6 (1973), 574] |
18. |
О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, Б. М. Лаврушин, В. В. Лебедев, А. Г. Негодов, С. С. Стрельченко, “Волноводная структура резонатора в полупроводниковом лазере с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 1972, № 2(8), 61–68 [O. V. Bogdankevich, N. A. Borisov, B. M. Lavrushin, V. V. Lebedev, A. G. Negodov, S. S. Strel'chenko, “Waveguide resonator structure of an electron-beam-pumped semiconductor laser”, Sov J Quantum Electron, 2:2 (1972), 138–143] |
1
|
|
1971 |
19. |
О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, Б. М. Лаврушин, В. В. Лебедев, А. Г. Негодов, С. С. Стрельченко, “Волноводная структура резонатора в полупроводниковом лазере с накачкой электронным пучком”, Докл. АН СССР, 201:6 (1971), 1316–1318 |
|
1966 |
20. |
Н. Г. Басов, О. В. Богданкевич, В. А. Гончаров, Б. М. Лаврушин, В. Ю. Судзиловский, “Полупроводниковый квантовый генератор на арсениде галлия с плоским резонатором”, Докл. АН СССР, 168:6 (1966), 1283–1286 |
1
|
|