Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком на основе многослойных гетероструктур Ga1–xlnxAs1–ySby

Реализован режим лазерной генерации на твердых растворах Ga_1–xln_xAs_1–ySb_y в интервале длин волн 0,9–1,08 мкм и исследованы основные параметры такого лазера с поперечной накачкой электронным пучком. В случае многослойных гетероструктур различие в пороговых плотностях тока объясняется перераспределением неравновесных носителей заряда по слоям структуры и реализацией инверсной населенности в слоях с наименьшей шириной запрещенной зоны. Обсуждается возможность дальнейшего снижения пороговой плотности тока за счет соответствующего выбора гетерослоев структуры и уменьшения толщины рабочего слоя.