|
Квантовая электроника, 1976, том 3, номер 1, страницы 94–100
(Mi qe10809)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком на основе многослойных гетероструктур
Ga1–xlnxAs1–ySby
С. А. Бондарь, Н. А. Борисов, Д. В. Галченков, Б. М. Лаврушин, В. В. Лебедев, С. С. Стрельченко Физический институт им. П. Н. Лебедева АН СССР, Москва
Аннотация:
Реализован режим лазерной генерации на твердых растворах Ga1–xlnxAs1–ySby в интервале длин волн 0,9–1,08 мкм и исследованы основные параметры такого лазера с поперечной накачкой электронным пучком. В случае многослойных гетероструктур различие в пороговых плотностях тока объясняется перераспределением неравновесных носителей заряда по слоям структуры и реализацией инверсной населенности в слоях с наименьшей шириной запрещенной зоны. Обсуждается возможность дальнейшего снижения пороговой плотности тока за счет соответствующего выбора гетерослоев структуры и уменьшения толщины рабочего слоя.
Поступила в редакцию: 20.06.1975
Образец цитирования:
С. А. Бондарь, Н. А. Борисов, Д. В. Галченков, Б. М. Лаврушин, В. В. Лебедев, С. С. Стрельченко, “Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком на основе многослойных гетероструктур
Ga1–xlnxAs1–ySby”, Квантовая электроника, 3:1 (1976), 94–100 [Sov J Quantum Electron, 6:1 (1976), 50–53]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe10809 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v3/i1/p94
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 132 | PDF полного текста: | 58 |
|