|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
| 1. |
Ч. Ангерманн, П. Карич, Л. Кадор, К. Р. Аллахвердиев, Т. Байкара, Э. Ю. Салаев, “Резонансное усиление нелинейной фотолюминесценции в селениде галлия и в родственных соединениях”, Квантовая электроника, 42:5 (2012), 457–461   [Ch. Angermann, P. Karich, L. Kador, K. R. Allakhverdiev, T. Baykara, È. Yu. Salaev, “Resonance enhancement of nonlinear photoluminescence in gallium selenide and related compounds”, Quantum Electron., 42:5 (2012), 457–461   ] |
4
|
|
1988 |
| 2. |
Э. Ю. Салаев, Е. Т. Алиев, М. О. Годжаев, “Сконденсировавшаяся и несконденсировавшаяся электронно-дырочная плазма в твердых растворах
$\mathrm{GaSe}_{1-x}\mathrm{S}_x$”, Докл. АН СССР, 298:4 (1988), 854–858 |
| 3. |
Э. Ю. Салаев, М. О. Годжаев, Е. Т. Алиев, М. З. Зарбалиев, “InSe и GaSe — эффективные фоточувствительные материалы в широкой
области спектра ($1{-}6$ эВ)”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988), 1628–1630 |
| 4. |
Г. Л. Беленький, Э. Ю. Салаев, Р. А. Сулейманов, “Деформационные явления в слоистых кристаллах”, УФН, 155:1 (1988), 89–127 ; G. L. Belen'kii, È. Yu. Salaev, R. A. Suleimanov, “Deformation effects in layer crystals”, Phys. Usp., 31:5 (1988), 434–455 |
50
|
|
1987 |
| 5. |
Г. И. Абуталыбов, В. Ф. Агекян, С. В. Погарев, Э. Ю. Салаев, “Спектроскопия кристаллов TiGaS$_{2}$”, Физика твердого тела, 29:5 (1987), 1436–1440 |
| 6. |
Э. Ю. Салаев, И. М. Аскеров, Ч. О. Каджар, И. А. Мамедбейли, “Фотостимулированное поглощение в полуизолирующем
GaAs$\langle$Cr$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1664–1668 |
|
1986 |
| 7. |
Э. Ю. Салаев, Г. И. Абуталыбов, В. Ф. Агекян, “Влияние магнитного поля на фотолюминесценцию кристаллов $\mathrm{TlGaS}_2$”, Докл. АН СССР, 287:2 (1986), 334–337 |
| 8. |
Г. И. Абуталыбов, Э. Ю. Салаев, “Спектры поглощения и отражения кристалла TlGaS$_{2}$”, Физика твердого тела, 28:7 (1986), 2201–2203 |
| 9. |
Г. И. Абуталыбов, И. К. Нейманзаде, Б. С. Разбирин, Э. Ю. Салаев, А. Н. Старухин, “Люминесценция и спектр краевого поглощения монокристалла
TlGaSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1699–1701 |
| 10. |
С. А. Алекперов, Н. Я. Гусейнов, Ч. О. Каджар, Э. Ю. Салаев, “Температурная зависимость шума
$1/f$ в InSb”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986), 1549–1551 |
|
1985 |
| 11. |
Г. И. Абуталыбов, И. Х. Акопян, И. К. Нейманзаде, Б. В. Новиков, Э. Ю. Салаев, “Экситонные спектры монокристаллов TlGaSe$_{2}$ и их поведение при фазовых превращениях”, Физика твердого тела, 27:9 (1985), 2836–2839 |
| 12. |
Т. Г. Керимова, А. Ш. Хидиров, Э. Ю. Салаев, В. Я. Штейншрайбер, “Динамика решетки CdGa$_{2}$S$_{4}$ и CdGa$_{2}$Se$_{4}$”, Физика твердого тела, 27:5 (1985), 1570–1572 |
| 13. |
Н. М. Мехтиев, З. З. Гусейнов, Э. Ю. Салаев, “Процессы рекомбинации и прилипания фотоэлектронов
в CdIn$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1642–1646 |
| 14. |
Э. Ю. Салаев, И. А. Мамедбейли, Ч. О. Каджар, В. Е. Арутюнян, “Влияние генерационно-рекомбинационных процессов
на электрооптические свойства монокристалла ZnSe”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1499–1501 |
| 15. |
Г. И. Абуталыбов, В. Ф. Агекян, А. А. Алиев, Э. Ю. Салаев, Ю. А. Степанов, “Люминесценция связанных экситонов в полупроводнике
TlGaS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 351–353 |
|
1984 |
| 16. |
Г. И. Абуталыбов, A. A. Алиев, Л. С. Ларионкина, И. К. Нейманзаде, Э. Ю. Салаев, “Фотолюминесценция монокристалла TlGaS$_{2}$”, Физика твердого тела, 26:4 (1984), 1221–1223 |
| 17. |
Г. И. Абуталыбов, A. A. Алиев, Л. С. Ларионкина, И. К. Нейман-заде, Э. Ю. Салаев, “Спектры отражения монокристалла TiInS$_{2}$”, Физика твердого тела, 26:3 (1984), 846–848 |
| 18. |
И. М. Аскеров, Ч. О. Каджар, И. А. Мамедбейли, Э. Ю. Салаев, “Влияние примесной фоточувствительности полуизолирующего
GaAs(Cr) на спектральное распределение фотоэлектрооптического эффекта”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1877–1879 |
| 19. |
К. Р. Аллахвердиев, С. С. Бабаев, Н. А. Бахышов, Т. Г. Мамедов, Г. И. Пересада, М. М. Шукюров, Э. Ю. Салаев, “Влияние гидростатического давления на край фундаментального
поглощения TlInS$_{2}$ и TlInS$_{1.8}$Se$_{0.2}$”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1704–1706 |
| 20. |
Э. Ю. Салаев, Ф. И. Исмайлов, Д. Г. Амиров, С. М. Атакишиев, К. А. Аскеров, “«Дефектная проводимость»
в InSe”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1492–1494 |
| 21. |
К. Р. Аллахвердиев, С. С. Бабаев, Н. А. Бахышов, Т. Г. Мамедов, Э. Ю. Салаев, “Аномалия температурного поведения электронных спектров TlInS$_{2}$
вблизи края их фундаментального поглощения”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1307–1309 |
| 22. |
С. А. Алекперов, Ч. О. Каджар, Э. Ю. Салаев, С. Р. Шафи-заде, “$1/f$-шум горячих носителей в InSb”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1113–1115 |
| 23. |
Н. М. Мехтиев, З. З. Гусейнов, Э. Ю. Салаев, “Межзонные переходы в ZnIn$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1088–1090 |
| 24. |
А. Ш. Абдинов, Р. Р. Агаев, А. Л. Кязым-заде, Э. Ю. Салаев, Г. С. Сеидли, “О влиянии флуктуации состава на фотоэлектрические свойства
монокристаллов твердого раствора Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 1085–1086 |
| 25. |
К. Р. Аллахвердиев, Т. Г. Мамедов, Э. Ю. Салаев, И. К. Эфендиева, “Спектр отражения кристаллов TlInSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 519–521 |
|
1983 |
| 26. |
В. И. Стафеев, Э. Ю. Салаев, X. Д. Джалилова, Э. И. Курбанова, Т. С. Мамедов, “Спектры оптического поглощения и фотопроводимость эпитаксиальных
пленок Pb$_{1-x}$Sn$_{x}$Te$\langle\text{In}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983), 1864–1866 |
| 27. |
Т. Г. Керимова, Н. М. Мехтиев, Ф. Р. Аджалова, З. З. Гусейнов, Э. Ю. Салаев, “Энергетический спектр $\beta$-CdIn$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1169–1173 |
| 28. |
К. Р. Аллахвердиев, Ш. Г. Гасымов, Т. Г. Мамедов, М. А. Низаметдинова, Э. Ю. Салаев, “Анизотропия электропроводности и эффекта Холла кристаллов TlSe под
давлением”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 203–207 |
|
1982 |
| 29. |
К. Р. Аллахвердиев, Р. И. Гулиев, Э. Ю. Салаев, В. В. Смирнов, “Исследование линейных и нелинейных оптических свойств кристаллов GaS<sub>x</sub>Se<sub>1–x</sub>”, Квантовая электроника, 9:7 (1982), 1483–1485 [K. R. Allakhverdiev, R. I. Guliev, È. Yu. Salaev, V. V. Smirnov, “Investigation of linear and nonlinear optical properties of GaS<sub>x</sub>Se<sub>1–x</sub> crystals”, Sov J Quantum Electron, 12:7 (1982), 947–948 ] |
31
|
|
1969 |
| 30. |
Г. Б. Абдуллаев, В. Б. Антонов, Р. Х. Нани, Э. Ю. Салаев, Т. Э. Мехтиев, “Рекомбинационное излучение в некоторых широкозонных полупроводниках под действием пучка быстрых электронов”, УФН, 99:3 (1969), 509 ; G. B. Abdulaev, V. B. Antonov, R. Kh. Nani, È. Yu. Salaev, T. E. Mekhtiev, “Recombination radiation in certain broad band semiconductors under the influence of a beam of fast electrons”, Phys. Usp., 12:6 (1970), 795–796 |
|
1965 |
| 31. |
Н. Г. Басов, О. В. Богданкевич, А. Н. Печенов, Г. Б. Абдуллаев, Г. А. Ахундов, Э. Ю. Салаев, “Индуцированное излучение в монокристалле $\mathrm{GaSe}$ при возбуждении быстрыми электронами”, Докл. АН СССР, 161:5 (1965), 1059 |
|
Обратная связь: