Резонансное усиление нелинейной фотолюминесценции в селениде галлия и в родственных соединениях

Представлены результаты экспериментов, выполненных методом полос Мейкера в слоистом халькогенидном полупроводнике GaSe с использованием маломощных непрерывных диодных лазеров. Продемонстрировано, что нелинейная фотолюминесценция, испускаемая этим материалом и сходным соединением GaSe_0.9S_0.1 во время облучения He — Ne-лазером (632.8 нм), испытывает очень большое резонансное усиление при нагреве, когда край поглощения и экситонные уровни смещаются по спектру к лазерной линии. Фотолюминесценция проявляется наиболее сильно, когда энергетический уровень прямозонного экситона, который ее испускает, находится в резонансе с энергией фотона лазерного излучения. В этом контексте интерпретируется ранее наблюдавшееся усиление фотолюминесценции электрическим полем.