|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2001 |
1. |
Ю. Б. Болховитянов, О. П. Пчеляков, С. И. Чикичев, “Кремний-германиевые эпитаксиальные пленки: физические основы получения напряженных и полностью релаксированных гетероструктур”, УФН, 171:7 (2001), 689–715 ; Yu. B. Bolkhovityanov, O. P. Pchelyakov, S. I. Chikichev, “Silicon – germanium epilayers: physical fundamentals of growing strained and fully relaxed heterostructures”, Phys. Usp., 44:7 (2001), 655–680 |
64
|
|