|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2001 |
1. |
А. Я. Шульман, И. Н. Котельников, Н. А. Варванин, Е. Н. Миргородская, “Туннельная спектроскопия обменно-корреляционного взаимодействия электронов в барьере Шоттки в квантующем магнитном поле: переходы $n$-GaAs/Me”, Письма в ЖЭТФ, 73:10 (2001), 643–648 ; A. Ya. Shul'man, I. N. Kotel’nikov, N. A. Varvanin, E. N. Mirgorodskaya, “Tunneling spectroscopy of the electron exchange-correlation interaction in a Schottky barrier in a quantizing magnetic field: $n$-GaAs/Me junctions”, JETP Letters, 73:10 (2001), 573–578 |
3
|
|
1989 |
2. |
С. Д. Ганичев, К. Ю. Глух, И. Н. Котельников, Н. А. Мордовец, А. Я. Шульман, И. Д. Ярошецкий, “Точечный быстродействующий фотоприемник лазерного субмиллиметрового
излучения”, Письма в ЖТФ, 15:8 (1989), 8–10 |
|
1987 |
3. |
И. Н. Котельников, Д. К. Чепиков, Е. Г. Чиркова, А. Я. Шульман, “Определение параметров области изгиба зон в переходах
$n$-GaAs/металл по туннельным вольтамперным характеристикам”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987), 1854–1862 |
|
1986 |
4. |
И. Н. Котельников, Н. А. Мордовец, А. Я. Шульман, “Анализ чувствительности диодов с барьером Шоттки к инфракрасному
излучению”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2199–2209 |
5. |
Н. А. Мордовец, А. Я. Шульман, “Частотная зависимость нелинейного отклика контакта
металл–полупроводник с барьером Шоттки”, ЖТФ, 56:11 (1986), 2189–2198 |
|
1985 |
6. |
И. Н. Котельников, И. Л. Бейнихес, А. Я. Шульман, “Туннелирование в переходах металл–полупроводник с самосогласованным барьером Шоттки. Теория и эксперимент на $n$-GaAs/Au”, Физика твердого тела, 27:2 (1985), 401–415 |
|