|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
1. |
А. А. Гисматулин, Г. Н. Камаев, “Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO$_{2}$, полученных методом прямого сращивания”, Письма в ЖТФ, 42:11 (2016), 73–81 ; A. A. Gismatulin, G. N. Kamaev, “Electrophysical properties of Si/SiO$_{2}$ nanostructures fabricated by direct bonding”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 590–593 |
3
|
|