|
Письма в Журнал технической физики, 2016, том 42, выпуск 11, страницы 73–81
(Mi pjtf6404)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO$_{2}$, полученных методом прямого сращивания
А. А. Гисматулин, Г. Н. Камаев Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Представлены результаты экспериментальных исследований диодных структур $n^{++}$–$p^{++}$-Si со встроенным на границу раздела туннельно-тонким SiO$_{2}$ с нанокластерами Si, полученных методом прямого сращивания. Выявлено наличие мемристорного эффекта с биполярным режимом переключения. Введение в диэлектрик нанокластеров Si понижает случайный характер возникновения проводящего канала. На ВАХ наблюдаются промежуточные метастабильные состояния, что может оказаться важным для мультибитного хранения данных.
Поступила в редакцию: 04.02.2016
Образец цитирования:
А. А. Гисматулин, Г. Н. Камаев, “Электрофизические свойства наноструктур Si/SiO$_{2}$, полученных методом прямого сращивания”, Письма в ЖТФ, 42:11 (2016), 73–81; Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 590–593
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6404 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v42/i11/p73
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 9 |
|