|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
1. |
О. А. Агеев, С. В. Балакирев, М. С. Солодовник, М. М. Еременко, “Влияние взаимодействия в системе Ga–As–O на морфологию поверхности GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 1011–1018 ; O. A. Ageev, S. V. Balakirev, M. S. Solodovnik, M. M. Eremenko, “Effect of interaction in the Ga–As–O system on the morphology of a GaAs surface during molecular-beam epitaxy”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 1045–1052 |
17
|
2. |
О. А. Агеев, М. С. Солодовник, С. В. Балакирев, И. А. Михайлин, “Исследование влияния соотношения потоков V/III на процессы субмонослойной эпитаксии GaAs/GaAs(001) методом Монте-Карло”, ЖТФ, 86:7 (2016), 15–21 ; O. A. Ageev, M. S. Solodovnik, S. V. Balakirev, I. A. Mikhaylin, “Monte Carlo investigation of the influence of V/III flux ratio on GaAs/GaAs(001) submonolayer epitaxy”, Tech. Phys., 61:7 (2016), 971–977 |
16
|
|