Исследование влияния соотношения потоков V/III на процессы субмонослойной эпитаксии GaAs/GaAs(001) методом Монте-Карло

Методом Монте-Карло проведено моделирование влияния соотношения потоков V/III на субмонослойный рост GaAs на поверхности GaAs(001) при различных технологических параметрах метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассчитаны зависимости поверхностной плотности островков от соотношения потоков V/III. Значение насыщения поверхностной плотности при температуре 580$^\circ$C составило 2 $\cdot$ 10$^{12}$ cm$^{-2}$, что согласуется с экспериментальными данными. Наибольшее влияние соотношения потоков V/III на плотность островков обнаружено при пониженной температуре (550$^\circ$C) и повышенной скорости роста (1 монослой в секунду), когда снижена десорбция мышьяка. Проведена оценка доли атомов мышьяка в растущей пленке при различных технологических режимах. Показано, что с увеличением степени заполнения поверхности влияние соотношения потоков V/III на долю атомов мышьяка ослабевает.