Научная биография: |
Карташова, Анна Петровна.
Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах $InGaN/GaN$, $GaAsN/GaN$, связанные с характером организации наноматериала : дис. ... канд. физ.-матем. наук : 01.04.10; [Место защиты: Физ.-техн. ин-т им. А.Ф. Иоффе РАН]. - Санкт-Петербург, 2010. - 191 с. : ил. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 804–811   ; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 |
3
|
|
Обратная связь: