|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Г. М. Умнягин, В. Е. Дегтярев, С. В. Оболенский, “Численное моделирование вольт-амперных характеристик двуслойной резистивной памяти на основе нестехиометрических оксидов металлов”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1275–1278   ; G. M. Umnyagin, V. E. Degtyarov, S. V. Obolensky, “Numerical simulation of the current–voltage characteristics of bilayer resistive memory based on non-stoichiometric metal oxides”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1246–1248 |
1
|
|
Обратная связь: