|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
В. Г. Шенгуров, Д. О. Филатов, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. А. Алябина, А. В. Зайцев, “Туннельные диоды на базе эпитаксиальных структур $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001), выращенных методом горячей проволоки”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1267–1270   ; V. G. Shengurov, D. O. Filatov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. A. Alyabina, A. V. Zaitsev, “Tunnel diodes based on $n^{+}$-Ge/$p^{+}$-Si(001) epitaxial structures grown by the hot-wire chemical vapor deposition”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1238–1241 |
1
|
|
2016 |
| 2. |
Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, Н. А. Алябина, “Телеграфный шум в туннельных Si $p$–$n$-переходах с наноостровками GeSi”, Письма в ЖТФ, 42:8 (2016), 94–101 ; D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, N. A. Alyabina, “A random telegraph signal in tunneling silicon $p$–$n$ junctions with GeSi nanoislands”, Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 435–437 |
|
Обратная связь: