|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
1. |
А. Н. Алешин, А. С. Бугаев, О. А. Рубан, В. В. Сарайкин, Н. Ю. Табачкова, И. В. Щетинин, “Энергетические затраты при формировании упругонапряженного состояния в слоях ступенчатого метаморфного буфера в гетероструктуре, выращенной на подложке (001) GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1086–1094 ; A. N. Aleshin, A. S. Bugaev, O. A. Ruban, V. V. Saraikin, N. Yu. Tabachkova, I. V. Shchetinin, “Energy expenditure upon the formation of the elastically stressed state in the layers of a step-graded metamorphic buffer in a heterostructure grown on a (001) GaAs substrate”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1066–1074 |
|
2018 |
2. |
Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Н. Клочков, А. Э. Ячменев, А. С. Бугаев, Д. И. Хусяинов, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, “Исследование временной динамики фотовозбужденных носителей заряда в сверхрешетках In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As при воздействии фемтосекундными лазерными импульсами”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 723–728 ; D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. N. Klochkov, A. E. Yachmenev, A. S. Bugaev, D. I. Khusyainov, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, “Ultrafast dynamics of photoexcited charge carriers in In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As superlattices under femtosecond laser excitation”, Semiconductors, 52:7 (2018), 864–869 |
5
|
|
2017 |
3. |
А. Н. Алешин, А. С. Бугаев, О. А. Рубан, Н. Ю. Табачкова, И. В. Щетинин, “Сравнительный анализ деформационных полей в слоях метаморфных ступенчатых буферов различного дизайна”, Физика твердого тела, 59:10 (2017), 1956–1963 ; A. N. Aleshin, A. S. Bugaev, O. A. Ruban, N. Yu. Tabachkova, I. V. Shchetinin, “Comparative analysis of strain fields in layers of step-graded metamorphic buffers of various designs”, Phys. Solid State, 59:10 (2017), 1978–1986 |
|
2016 |
4. |
Н. И. Ускова, Д. Ю. Подорожкин, Е. В. Чарная, Д. Ю. Нефедов, С. В. Барышников, А. С. Бугаев, M. K. Lee, L. J. Chang, “Исследования дигидрофосфата калия методом ЯМР”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 667–670 ; N. I. Uskova, D. Yu. Podorozhkin, E. V. Charnaya, D. Yu. Nefedov, S. V. Baryshnikov, A. S. Bugaev, M. K. Lee, L. J. Chang, “Nuclear magnetic resonance study of potassium dihydrophosphate”, Phys. Solid State, 58:4 (2016), 685–688 |
1
|
5. |
Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, Д. В. Лаврухин, Д. С. Пономарев, А. С. Бугаев, П. П. Мальцев, “Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 185–190 ; R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, D. V. Lavrukhin, D. S. Ponomarev, A. S. Bugaev, P. P. Maltsev, “Electron transport and optical properties of structures with atomic tin nanowires on vicinal GaAs substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 185–190 |
5
|
|