|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Ю. В. Балакшин, А. В. Кожемяко, S. Petrovic, M. Erich, А. А. Шемухин, В. С. Черныш, “Влияние зарядового состояния ионов ксенона на профиль распределения по глубине при имплантации в кремний”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1030–1036   ; Yu. V. Balakshin, A. V. Kozhemiako, S. Petrovic, M. Erich, A. A. Shemukhin, V. S. Chernysh, “Influence of the charge state of xenon ions on the depth distribution profile upon implantation into silicon”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1011–1017 |
3
|
|
Обратная связь: