|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
С. М. Пещерова, Е. Б. Якимов, А. И. Непомнящих, В. И. Орлов, О. В. Феклисова, Л. А. Павлова, Р. В. Пресняков, “Зависимость объемных электрофизических свойств мультикремния от параметров разориентации зерен”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 59–64   ; S. M. Peshcherova, E. B. Yakimov, A. I. Nepomnyashchikh, V. I. Orlov, O. V. Feklisova, L. A. Pavlova, R. V. Presnyakov, “Dependence of the bulk electrical properties of multisilicon on the grain misorientation parameters”, Semiconductors, 53:1 (2019), 55–59 |
1
|
|
2018 |
| 2. |
С. М. Пещерова, Е. Б. Якимов, А. И. Непомнящих, Л. А. Павлова, О. В. Феклисова, Р. В. Пресняков, “Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 266–271 ; S. M. Peshcherova, E. B. Yakimov, A. I. Nepomnyashchikh, L. A. Pavlova, O. V. Feklisova, R. V. Presnyakov, “Electrical activity of extended defects in multicrystalline silicon”, Semiconductors, 52:2 (2018), 254–259 |
4
|
|
Обратная связь: