|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
А. В. Куксин, А. Ю. Герасименко, Ю. П. Шаман, А. А. Шаманаев, А. В. Сыса, О. Е. Глухова, “Влияние функционализации на электрофизические свойства лазерно-структурированных гибридных углеродных наноматериалов”, Изв. Сарат. ун-та. Нов. cер. Сер. Физика, 23:4 (2023), 307–315  |
|
2018 |
| 2. |
С. В. Булярский, Д. А. Богданова, Е. П. Кицюк, А. В. Лакалин, А. А. Павлов, Р. М. Рязанов, А. А. Шаманаев, Ю. П. Шаман, “Уменьшение работы выхода при гидрогенизации углеродных нанотрубок в плазме водорода”, Письма в ЖТФ, 44:10 (2018), 55–60  ; S. V. Bulyarskii, D. A. Bogdanova, E. P. Kitsyuk, A. V. Lakalin, A. A. Pavlov, R. M. Ryazanov, A. A. Shamanaev, Yu. P. Shaman, “Decreasing work function of carbon nanotubes hydrogenated in hydrogen plasma”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 432–434 |
4
|
|
2017 |
| 3. |
О. В. Пятилова, С. А. Гаврилов, Ю. И. Шиляева, А. А. Павлов, Ю. П. Шаман, А. А. Дудин, “Влияние типа и степени легирования на морфологию $por$-Si, полученного гальваническим травлением”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 182–186 ; O. V. Pyatilova, S. A. Gavrilov, Yu. I. Shilyaeva, A. A. Pavlov, Yu. P. Shaman, A. A. Dudin, “Influence of the doping type and level on the morphology of porous Si formed by galvanic etching”, Semiconductors, 51:2 (2017), 173–177 |
4
|
|
Обратная связь: