|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
Р. В. Левин, Б. В. Пушный, И. В. Федоров, А. А. Усикова, В. Н. Неведомский, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1592–1597   ; R. V. Levin, B. V. Pushnii, I. V. Fedorov, A. A. Usikova, V. N. Nevedomskiy, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, “Examination of the capabilities of metalorganic vapor-phase epitaxy in fabrication of thin InAs/GaSb layers”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1509–1514 |
| 2. |
Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Внутризонное поглощение излучения свободными дырками в квантовых ямах GaAs/InGaAs с учетом несферичности $kP$-гамильтониана”, Письма в ЖТФ, 45:10 (2019), 9–12 ; N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, “Intraband radiation absorption by free holes in GaAs/InGaAs quantum wells with taking into account non-sphericity of $kP$ hamiltonian”, Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 481–484 |
|
2018 |
| 3. |
Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, А. Г. Зегря, В. Е. Бугров, “Внутризонное поглощение излучения дырками в квантовых ямах InAsSb/AlSb и InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 207–220 ; N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, A. G. Zegrya, V. E. Bugrov, “Intraband radiation absorption by holes in InAsSb/AlSb and InGaAsP/InP quantum wells”, Semiconductors, 52:2 (2018), 195–208 |
2
|
|
Обратная связь: