|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Е. А. Тарасова, С. В. Оболенский, С. В. Хазанова, Н. Н. Григорьева, О. Л. Голиков, А. Б. Иванов, А. С. Пузанов, “Компенсация нелинейности сток-затворной вольт-амперной характеристики в полевых транзисторах с длиной затвора $\sim$100 нм”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 968–973   ; E. A. Tarasova, S. V. Obolensky, S. V. Khazanova, N. N. Grigoryeva, O. L. Golikov, A. B. Ivanov, A. S. Puzanov, “Compensation for the nonlinearity of the drain–gate I–V characteristic in field-effect transistors with a gate length of $\sim$100 nm”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1155–1160 |
6
|
|
Обратная связь: