|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов, Ш. Н. Ибодуллаев, С. А. Тачилин, “Использование эффекта отрицательного магнитосопротивления в кремнии для создания многофункциональных датчиков”, Письма в ЖТФ, 47:19 (2021), 7–11   ; M. K. Bakhadyrkhanov, H. M. Iliev, G. Kh. Mavlonov, Sh. N. Ibodullaev, S. A. Tachilin, “The effect of negative magnetoresistance in silicon to create multifunctional sensors”, Tech. Phys. Lett., 48:1 (2022), 1–4 |
| 2. |
М. К. Бахадырханов, Ш. Н. Ибодуллаев, Н. Ф. Зикриллаев, С. В. Ковешников, “Фоторезистор инфракрасного излучения на основе кремния с нанокластерами атомов марганца”, Письма в ЖТФ, 47:13 (2021), 12–15 ; M. K. Bakhadyrkhanov, Sh. N. Ibodullaev, N. F. Zikrillaev, S. V. Koveshnikov, “An infrared radiation photoresistor based on silicon with nanoclusters of manganese atoms”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 641–644 |
1
|
|
2020 |
| 3. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Ш. Н. Ибодуллаев, С. В. Ковешников, Н. Норкулов, “Стимулированная электрическим полем фотопроводимость в области 3–8 $\mu$m в кремнии с нанокластерами атомов марганца”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020), 37–40 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, Sh. N. Ibodullaev, S. V. Koveshnikov, N. Norkulov, “Electric field-stimulated photoconductivity in silicon with manganese atom nanoclusters in the range of 3–8 $\mu$m”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1192–1195 |
|
Обратная связь: