Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Мынбаева Марина Гелиевна

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 3
Научных статей: 3

Статистика просмотров:
Эта страница:73
Страницы публикаций:186
Полные тексты:81
кандидат физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person183156
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2021
1. М. Г. Мынбаева, А. Н. Смирнов, К. Д. Мынбаев, “Оптические свойства квазиобъемных кристаллов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  554–558  mathnet  elib; M. G. Mynbaeva, A. N. Smirnov, K. J. Mynbaev, “Optical properties of quasi-bulk gallium-nitride crystals with highly oriented texture structure”, Semiconductors, 55:7 (2021), 617–620 1
2017
2. С. П. Лебедев, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, М. Г. Мынбаева, М. М. Кулагина, B. Hähnlein, J. Pezoldt, А. А. Лебедев, “Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  64–72  mathnet  elib; S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, M. G. Mynbaeva, M. M. Kulagina, B. Hähnlein, J. Pezoldt, A. A. Lebedev, “Transport properties of graphene films grown by thermodestruction of SiC (0001) surface in argon medium”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 849–852 7
2016
3. М. Г. Мынбаева, А. А. Лаврентьев, К. Д. Мынбаев, “Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  138–142  mathnet  elib; M. G. Mynbaeva, A. A. Lavrent'ev, K. J. Mynbaev, “Formation of graphite/SiC structures by the thermal decomposition of silicon carbide”, Semiconductors, 50:1 (2016), 138–142 7

Организации
 
  Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024