|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
В. М. Андреев, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Д. Румянцев, А. В. Чекалин, “Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1374–1379   ; V. M. Andreev, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. D. Rumancev, A. V. Chekalin, “On the main photoelectric characteristics of three-junction InGaP/InGaAs/Ge solar cells in a broad temperature range (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1356–1361 |
|
1992 |
| 2. |
А. Б. Казанцев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Е. М. Танклевская, В. П. Хвостиков, “Полосковые зарощенные AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом
жидкофазной эпитаксии в одностадийном процессе”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1666–1668 |
|
1991 |
| 3. |
А. Б. Гучмазов, Х. -А. Родригес, В. Д. Румянцев, “Бесконтактное измерение электрических и фотоэлектрических параметров
гетероструктур с $p{-}n$-переходом в люминесцирующем материале”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 143–150 |
| 4. |
В. М. Андреев, А. Б. Казанцев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Низкопороговые ($\text{In}=2.0$ мА, 300 K) высокоэффективные
($\eta_{\text{ext}}=68$%) AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом НТ ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 17:5 (1991), 1–5  |
|
1990 |
| 5. |
В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, А. Б. Казанцев, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, Е. М. Танклевская, В. П. Хвостиков, “Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона
длин волн 730$-$850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1757–1761 |
| 6. |
В. М. Андреев, B. C. Калиновский, В. Р. Ларионов, М. М. Миланова, К. Я. Расулов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Фотопреобразователи на основе AlGaAs$-$GaAs гетероструктур для
сцинтилляционных детекторов ионизирующих излучений”, Письма в ЖТФ, 16:19 (1990), 56–59 |
| 7. |
В. М. Андреев, В. Р. Ларионов, A. M. Минтаиров, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, К. Е. Смекалин, В. П. Хвостиков, “Исследование распределения состава в AlGaAs гетероструктурах
с квантоворазмерными слоями методом комбинационного рассеяния света”, Письма в ЖТФ, 16:9 (1990), 7–12 |
|
1989 |
| 8. |
В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, К. Я. Расулов, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические свойства
AlGaAs$-$GaAs-гетероструктур с туннельно-тонким
«широкозонным окном»”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 597–600 |
|
1988 |
| 9. |
В. М. Андреев, А. А. Алаев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Ш. Ш. Шамухамедов, “Ориентационные эффекты при жидкофазной эпитаксии AlGaAs структур”, ЖТФ, 58:9 (1988), 1789–1792 |
| 10. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Квантово-размерные низкопороговые
AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной
эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1775–1779 |
| 11. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, Т. Н. Налет, Нгуен ТханьФыонг, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Квантово-размерные полосковые AlGaAs-гетеролазеры миллиамперного
диапазона токов
($I_{n}=2.1$ мА, $T=300$ K), полученные методом низкотемпературной ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 14:22 (1988), 2057–2060 |
1
|
| 12. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, В. Ю. Аксенов, В. Р. Ларионов, И. А. Мокина, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Низкопороговые
($I_{n} =6.2$ мА, $T=300$ K)
полосковые квантоворазмерные
AlGaAs-гетеролазеры, полученные
методом низкотемпературной ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 14:17 (1988), 1537–1540 |
| 13. |
В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, К. Я. Расулов, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Гетероструктуры с туннельно тонкими ($20{-}50$ Å)
поверхностными AlGaAs-слоями,
полученными методом ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 14:15 (1988), 1429–1433 |
| 14. |
В. М. Андреев, М. Б. Каган, B. C. Калиновский, Л. А. Рассадин, В. Р. Ларионов, Т. А. Нуллер, В. Д. Румянцев, К. Я. Расулов, “Инжекционный отжиг дефектов
AlGaAs-структур солнечных элементов
в процессе радиационного облучения”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988), 121–125 |
| 15. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, В. Р. Ларионов, А. В. Никитин, Т. А. Пруцких, В. Д. Румянцев, “«Фиолетовые»$p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs-фотоэлементы”, Письма в ЖТФ, 14:1 (1988), 76–79 |
|
1987 |
| 16. |
В. М. Андреев, А. А. Воднев, А. М. Минтаиров, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “Фотолюминесценция квантово-размерных слоев в AlGaAs-гетероструктурах,
полученных методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1212–1216 |
|
1986 |
| 17. |
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, А. М. Койнова, В. М. Лантратов, В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили, “Высокоэффективные информационно-энергетические
AlGaAs-GaAs-фотоприемники для волоконно-оптических линий связи”, Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986), 435–439 |
| 18. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, О. О. Ивентьева, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, “Низкопороговые (${j_{\text{п}}=
230\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=300}$ K)
AlGaAs ДГС РО лазеры, полученные методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 381–383 |
| 19. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “$Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986), 1089–1093 |
1
|
|
1985 |
| 20. |
В. М. Андреев, В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили, О. В. Сулима, О. К. Салиева, “Влияние переходных слоев на спектральное распределение фотоответа
AlGaAs гетерофотоэлементов”, ЖТФ, 55:6 (1985), 1124–1129 |
| 21. |
В. М. Андреев, А. М. Аллахвердиев, В. Д. Румянцев, О. М. Федорова, Ш. Ш. Шамухамедов, “Низкая скорость поверхностной рекомбинации
(${S =10^{4}}$ см/с) в эпитаксиальном $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1826–1829 |
| 22. |
В. М. Андреев, А. М. Аллахвердиев, О. О. Ивентьева, В. М. Кашкаров, В. Д. Румянцев, В. А. Терехов, “Фотолюминесцентные свойства и электронное строение поверхности анодно
окисленного $n$-InP”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985), 110–113 |
|
1984 |
| 23. |
В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили, “К вопросу об эффективности фотоэлектрического преобразования коротких
импульсов излучения”, ЖТФ, 54:5 (1984), 979–982 |
| 24. |
А. М. Аллахвердиев, В. М. Андреев, И. В. Грехов, Л. С. Костина, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Ш. Ш. Шамухамедов, “Каскадные
Si$-$AlGaAs солнечные фотоэлементы”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 121–125 |
|
1983 |
| 25. |
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, В. Д. Румянцев, С. И. Трошков, “Солнечные гетерофотоэлементы с увеличенной глубиной залегания $p{-}n$
перехода”, ЖТФ, 53:8 (1983), 1658–1660 |
| 26. |
X. К. Арипов, Н. С. Королева, В. Р. Ларионов, Т. А. Нуллер, В. Д. Румянцев, “Электролюминесцентные исследования солнечных
$p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs гетерофотоэлементов с распределенными
параметрами”, ЖТФ, 53:2 (1983), 329–332 |
| 27. |
А. М. Аллахвердиев, Ю. М. Задиранов, В. Д. Румянцев, “Взаимное влияние широкозонного и узкозонного
фотоэлементов при работе каскадных $n$-GaAs${-}p$-AlGaAs${-}n$-AlGaAs-гетерофотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 446–448 |
| 28. |
X. К. Арипов, В. Д. Румянцев, “Закономерности формообразования вольтамперных характеристик
солнечных элементов с распределенными параметрами”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 358–361 |
| 29. |
В. М. Андреев, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, О. М. Федорова, Ш. Ш. Шамухамедов, “Высокоэффективные $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs
солнечные фотоэлементы с КПД
19% (AM 0)
и 24% (AM 1.5)”, Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1251–1254 |
| 30. |
В. М. Андреев, Ю. М. Задиранов, В. Д. Румянцев, Н. М. Сараджишвили, О. В. Сулима, “Фотоэлектролюминесценция
в AlGaAs-гетероструктуpax”, Письма в ЖТФ, 9:17 (1983), 1058–1061 |
| 31. |
В. М. Андреев, Б. В. Егоров, М. Б. Каган, В. Р. Ларионов, В. Д. Румянцев, Ш. Ш. Шамухамедов, “Концентраторные фотоэлектрические батареи на основе AlGaAs$-$GaAs
солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 9:2 (1983), 102–104 |
|
Обратная связь: