|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1989 |
1. |
Ю. Б. Лянда-Геллер, Г. Е. Пикус, “Циркулярный фотогальванический эффект в деформированных негиротропных кристаллах”, Физика твердого тела, 31:12 (1989), 77–87 |
|
1988 |
2. |
Н. С. Аверкиев, Г. Е. Пикус, М. Л. Шматов, “Поверхностные экситоны и акцепторы в МПД структурах”, Физика твердого тела, 30:11 (1988), 3276–3285 |
3. |
Э. Нормантас, Г. Е. Пикус, “Эффект увлечения в магнитном поле”, Физика твердого тела, 30:6 (1988), 1699–1707 |
4. |
Е. Л. Ивченко, Ю. Б. Лянда-Геллер, Г. Е. Пикус, “Магнитоиндуцированный циркулярный фотогальванический эффект в $p$-GaAs”, Физика твердого тела, 30:4 (1988), 990–996 |
5. |
Г. Е. Пикус, В. А. Марущак, А. Н. Титков, “Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических
кристаллах $A^{\mathrm{III}}B^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 185–200 |
|
1987 |
6. |
Н. С. Аверкиев, Г. Е. Пикус, “Поверхностный экситон в МДП структурах”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1493–1495 |
|
1986 |
7. |
Э. Нормантас, Г. Е. Пикус, “Поверхностный фотогальванический эффект в многодолинных полупроводниках”, Физика твердого тела, 28:6 (1986), 1665–1674 |
8. |
В. И. Белиничер, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, “Нестационарный фототок в гиротропных кристаллах”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 886–891 |
|
1985 |
9. |
Э. Нормантас, Г. Е. Пикус, “Эффект увлечения при отражении света от поверхности”, Физика твердого тела, 27:10 (1985), 3017–3025 |
|
1984 |
10. |
Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, Р. Я. Расулов, “Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ $p$-типа. Сдвиговый вклад”, Физика твердого тела, 26:11 (1984), 3362–3368 |
1
|
11. |
В. Л. Гуревич, Г. Е. Пикус, “Рецензия на сборник «Электроны в полупроводниках»
(четыре тома)”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1333–1338 |
12. |
Н. С. Аверкиев, В. М. Аснин, А. А. Бакун, А. М. Данишевский, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, А. А. Рогачев, “Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре
II. Эксперимент”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 648–654 |
13. |
Н. С. Аверкиев, В. М. Аснин, А. А. Бакун, А. М. Данишевский, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, А. А. Рогачев, “Циркулярный фотогальванический эффект в теллуре
I. Теория”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 639–647 |
14. |
Е. Л. Ивченко, Ю. Б. Лянда-Геллер, Г. Е. Пикус, Р. Я. Расулов, “Магнитоиндуцированный фотогальванический эффект в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 93–101 |
|
1983 |
15. |
С. В. Гастев, Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, Н. С. Соколов, Н. Л. Яковлев, “Поляризация люминесценции параэкситонов в кристаллах закиси меди в магнитном поле”, Физика твердого тела, 25:10 (1983), 3002–3008 |
1
|
|
1981 |
16. |
В. Д. Кулаковский, Г. Е. Пикус, В. Б. Тимофеев, “Многоэкситонные комплексы в полупроводниках”, УФН, 135:2 (1981), 237–284 ; V. D. Kulakovskii, G. E. Pikus, V. B. Timofeev, “Multiexciton complexes in semiconductors”, Phys. Usp., 24:10 (1981), 815–840 |
19
|
|
1971 |
17. |
В. Б. Анзин, М. С. Бреслер, В. Г. Веселаго, Ю. В. Косичкин, Г. Е. Пикус, И. И. Фарбштейн, С. С. Шалыт, “Экспериментальное обнаружение магнитного пробоя в полупроводниках”, УФН, 104:1 (1971), 169–170 ; V. B. Anzin, M. S. Bresler, V. G. Veselago, Yu. V. Kosichkin, G. E. Pikus, I. I. Farbshtein, S. S. Shalyt, “Experimental observation of magnetic breakdown in semiconductors”, Phys. Usp., 14:3 (1971), 360–361 |
|
|
|
1991 |
18. |
Э. И. Заварицкая, И. А. Ипатова, Д. Н. Мирлин, В. Н. Мурзин, С. А. Пермогоров, Г. Е. Пикус, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, С. Г. Тиходеев, М. К. Шейнкман, И. П. Акимченко, В. С. Вавилов, “О XX Международной конференции по физике полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 25:7 (1991), 1263–1273 |
|
1976 |
19. |
Г. Е. Пикус, “Экситоны при высокой плотности”, УФН, 119:3 (1976), 586–589 |
|