Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ $p$-типа. Сдвиговый вклад

Рассчитан сдвиговый вклад в линейный фотогальванический эффект в полупроводниках с вырожденной зоной. Исследуемый вклад (сдвиговый фононный вклад) возникает следующим образом: а)  при прямых оптических переходах между подзонами тяжелых и легких дырок формируется анизотропная, четная по волновому вектору добавка к функции распределения дырок; б)  при последующем поглощении или испускании дыркой оптического фонона происходит (с учетом асимметрии электрон-фононного взаимодействия в кристаллах без центра инверсии) смещение дырки в ${\mathbf r}$-пространстве, при этом из-за анизотропии неравновесной функции распределения дырок усредненный по волновому вектору сдвиг отличен от нуля. Проанализировано влияние классического магнитного поля на сдвиговый фототок.