|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1987 |
| 1. |
А. В. Чудинов, В. П. Чалый, А. Е. Свелокузов, А. В. Васильев, А. Л. Тер-Мартиросян, Д. З. Гарбузов, “Фотолюминесцентные исследования
InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области от 40 до 1000 Å”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1217–1222  |
| 2. |
Д. З. Гарбузов, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, А. Е. Свелокузов, А. В. Овчинников, “Квантово-размерные эффекты в спектрах люминесценции жидкофазных
InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области
230$-$60 Å”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 437–441 |
|
1986 |
| 3. |
И. Н. Арсентьев., Д. З. Гарбузов, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий, А. Е. Свелокузов, Н. Н. Фалеев, А. В. Чудинов, “Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных
InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев
${\leqslant20}$ Å”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986), 2206–2211 |
| 4. |
С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, А. В. Чудинов, А. А. Хусаинов, “Микрокатодолюминесценция двойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1049–1054 |
| 5. |
Н. Ю. Антонишкис, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, В. В. Красовский, А. Е. Свелокузов, А. В. Чудинов, “Эффективность люминесценции и скорость граничной рекомбинации
в гетероструктурах в системах
Al$-$Ga$-$As и In$-$Ga$-$As$-$P”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 708–712 |
| 6. |
Ж. И. Алфёров, Д. З. Гарбузов, К. Ю. Кижаев, А. Б. Нивин, С. А. Никишин, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, А. В. Чудинов, “Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм
($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)”, Письма в ЖТФ, 12:4 (1986), 210–215  |
2
|
|
1985 |
| 7. |
И. С. Тарасов, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, А. В. Овчинников, З. Н. Соколова, А. В. Чудинов, “Особенности температурной зависимости порогов в РО
InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1496–1498 |
| 8. |
В. П. Евтихиев, Д. З. Гарбузов, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, В. Б. Халфин, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, “Особенности пороговых характеристик РО
InGaAsP/InP ДГ лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм) с супертонкими активными
областями”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985), 1420–1423 |
| 9. |
Ж. И. Алфров, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, Б. Я. Бер, Л. С. Вавилова, В. В. Красовский, А. В. Чудинов, “Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных
InGaAsP-гетероструктур с активными областями
${(1.5\div5)\cdot10^{-6}}$ см”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1108–1114 |
|
1984 |
| 10. |
Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, В. П. Евтихиев, О. В. Сулима, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, “Инжекционные РО InGaAsP/InP ДГС лазеры с порогом
$300\,\text{А/см}^{2}$ (четырехсколотые образцы,
${\lambda=1.25}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2057–2060 |
| 11. |
Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, В. П. Евтихиев, В. Б. Халфин, “Спонтанные и когерентные излучательные переходы в InGaAsP/InP ДГС
с тонкой активной областью
(${d_{\text{а}}=2\cdot10^{-5}\div2\cdot10^{-6}}$ см), полученные методом
жидкостной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984), 2041–2045 |
| 12. |
Д. З. Гарбузов, А. В. Чудинов, В. В. Агаев, В. П. Чалый, В. П. Евтихиев, “Люминесцентные и пороговые характеристики InGaAsP/InP ДГС (${0.94<\lambda<1.51}$ мкм) при оптическом возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 102–108 |
| 13. |
Д. З. Гарбузов, В. П. Чалый, А. В. Чудинов, Н. Ю. Давидюк, В. В. Агаев, “Лазерные преобразователи коротковолнового излучения в инфракрасное
на основе InGaAsP/InP ДГС
(${\lambda=1.0{-}1.35}$ мкм, ${\eta_{D}=20}$%, ${T=300}$ K)”, Письма в ЖТФ, 10:16 (1984), 1010–1016 |
|
1983 |
| 14. |
Д. З. Гарбузов, В. Г. Агафонов, В. В. Агаев, В. М. Лантратов, А. В. Чудинов, “Эффективный перенос возбуждения из эмиттера в активную область при
фотолюминесценции InGaAsP/InP ДГС”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983), 2168–2172 |
| 15. |
А. В. Чудинов, В. П. Чалый, Д. З. Гарбузов, И. Н. Арсентьев, В. П. Евтихиев, “Фотолюминесцентные исследования перераспределения неравновесных
носителей заряда в InGaAsP/InP с двумя активными областями”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 714–717 |
| 16. |
В. П. Чалый, Д. З. Гарбузов, А. В. Чудинов, В. В. Агаев, “Исследование эффекта насыщения интенсивности люминесценции
в ДГ-InGaAsP/InP-структурах (${\lambda=1.3}$ мкм) при высоких
уровнях возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 17:3 (1983), 464–468 |
|
Обратная связь: