|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, Т. С. Табаров, С. В. Иванов, В. М. Андреев, “Влияние механизмов токопрохождения на эффективность фотодиодов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:22 (2018), 33–41   ; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, T. S. Tabarov, S. V. Ivanov, V. M. Andreev, “The effect of charge transport mechanisms on the efficiency of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs photodiodes”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 1013–1016 |
4
|
|
1990 |
| 2. |
X. О. Абдуллаев, В. И. Корольков, М. В. Павловский, Е. В. Руссу, Т. С. Табаров, “Исследования планарных фотосопротивлений на основе
InGaAs/InP со скрытым $p^{+}$-затвором”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 1969–1972 |
| 3. |
Ж. И. Алфров, В. В. Журавлева, С. В. Иванов, П. С. Копьев, В. И. Корольков, Н. Н. Леденцов, Б. Я. Мельцер, Т. С. Табаров, “Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании
в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 361–363 |
|
1987 |
| 4. |
Ж. И. Алфров, В. И. Корольков, А. А. Пулатов, Н. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Электрические и фотоэлектрические свойства
$n^{+}{-}n^{0}{-}n^{+}$-структур на основе GaAs с металлической сеткой
в $n^{0}$-области”, Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987), 981–983 |
|
1986 |
| 5. |
Ж. И. Алфёров, В. И. Корольков, Н. Р. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Арсенид-галлиевый вертикальный полевой транзистор со скрытым затвором”, Письма в ЖТФ, 12:3 (1986), 183–186  |
|
1985 |
| 6. |
М. С. Богданович, Л. А. Волков, В. Г. Данильченко, В. И. Корольков, Н. Р. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Исследование вертикальных полевых фототранзисторов
на основе GaAs. Механизм усиления и кинетика фототока”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985), 1731–1735 |
| 7. |
Л. А. Волков, В. И. Корольков, А. А. Пулатов, Н. Рахимов, Т. С. Табаров, Б. С. Явич, “Вертикальное фотосопротивление на основе $n^0-Ga\,As$”, Письма в ЖТФ, 11:13 (1985), 800–803 |
| 8. |
М. С. Богданович, В. И. Корольков, Н. Рахимов, Т. С. Табаров, “Высокочувствительный вертикальный полевой фототранзистор на основе $Ga\,As$”, Письма в ЖТФ, 11:2 (1985), 89–93 |
|
1984 |
| 9. |
В. И. Корольков, В. И. Литманович, А. В. Рожков, М. Н. Степанова, Т. С. Табаров, “Арсенидгаллиевые полевые транзисторы с управляющим $p{-}n$ переходом”, ЖТФ, 54:4 (1984), 859–862 |
| 10. |
А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, Н. М. Сараджишвили, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Фототранзистор на основе
$N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP”, Письма в ЖТФ, 10:21 (1984), 1294–1297 |
|
1983 |
| 11. |
Ж. И. Алфров, А. Т. Гореленок, В. Г. Данильченко, А. В. Каманин, В. И. Корольков, В. В. Мамутин, Т. С. Табаров, Н. М. Шмидт, “Высокоэффективный фотодетектор
для ультрафиолетового излучения”, Письма в ЖТФ, 9:24 (1983), 1516–1519 |
|
Обратная связь: