|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
1. |
А. Н. Вейс, Л. Н. Лукьянова, В. А. Кутасов, “Структура зоны проводимости теллурида висмута по данным оптического поглощения”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 873–876 ; A. N. Weis, L. N. Luk'yanova, V. A. Kutacov, “On the conduction-band structure of bismuth telluride: optical absorption data”, Semiconductors, 51:7 (2017), 836–839 |
4
|
|
1991 |
2. |
А. Н. Вейс, “Влияние обменного взаимодействия электронов на параметры зонной
структуры и примесных состояний в селениде свинца”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1934–1940 |
|
1990 |
3. |
Н. С. Лидоренко, А. Н. Вейс, З. М. Дашевский, М. П. Руленко, “Исследование эффектов, возникающих в $\mathrm{PbTe}$ при ионной имплантации большими дозами”, Докл. АН СССР, 315:3 (1990), 600–603 |
4. |
Г. Т. Алексеева, А. Н. Вейс, Е. А. Гуриева, Т. Б. Жукова, Л. В. Прокофьева, “Примесные состояния индия в PbS”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2155–2159 |
5. |
А. Н. Вейс, З. М. Дашевский, М. П. Руленко, “Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 126–130 |
|
1989 |
6. |
А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева, “Примесь индия в селениде свинца — центр с отрицательной
корреляционной энергией”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1230–1234 |
7. |
А. Н. Вейс, Р. Ю. Крупицкая, “Примесные состояния таллия в сульфиде свинца по данным
ИК поглощения”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 185–187 |
|
1988 |
8. |
А. Н. Вейс, Р. Ю. Крупицкая, А. В. Лумер, “Резонансные состояния, связанные с вакансиями халькогена,
в электронном сульфиде свинца”, Физика и техника полупроводников, 22:8 (1988), 1514–1516 |
9. |
А. Н. Вейс, В. И. Кайданов, Р. Ю. Крупицкая, “Резонансные уровни в сильно компенсированном $p$-PbTe по данным ИК
поглощения”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 349–352 |
10. |
А. Н. Вейс, А. В. Гриневич, В. И. Кайданов, Р. Б. Мельник, С. А. Немов, “Электрофизические и оптические свойства
$p\text{-PbTe}\langle\text{Ag}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 171–173 |
|
1987 |
11. |
Н. С. Беспалова, А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева, Х. Р. Майлина, “Квазилокальные уровни в PbSe$\langle$In$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2091–2094 |
12. |
Н. С. Беспалова, А. Н. Вейс, З. М. Дашевский, “Исследование коэффициента поглощения в ионно-имплантированном
теллуриде свинца”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987), 946–949 |
13. |
А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева, “Энергетические уровни, связанные с собственными дефектами
в электронном сульфиде свинца”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987), 743–746 |
14. |
А. Н. Вейс, “Температурные зависимости положения квазилокальных уровней в PbTe,
легированном примесями III группы”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987), 263–266 |
|
1986 |
15. |
А. Н. Вейс, “Энергетический спектр вакансий халькогена в электронном селениде свинца по данным оптического поглощения”, Докл. АН СССР, 289:6 (1986), 1355–1360 |
16. |
А. Н. Вейс, Л. В. Прокофьева, “Исследование резонансных состояний, связанных с собственными дефектами в $p$-PbSe”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 160–161 |
|
1985 |
17. |
А. Н. Вейс, Е. В. Глебова, Н. А. Ерасова, “Энергетические уровни, связанные с комплексами, в PbTe, легированном
примесями III группы”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 2055–2058 |
18. |
Л. В. Прокофьева, А. Н. Вейс, “О природе разновалентных состояний примесей IV группы
в халькогенидах свинца”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 941–944 |
|
1984 |
19. |
А. Н. Вейс, Е. А. Гуриева, О. Г. Нефедов, Л. В. Прокофьева, “Особенности спектров поглощения
$p$-PbSe с изовалентными примесями замещения”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1723–1726 |
20. |
А. Н. Вейс, Р. Р. Яфаев, “Исследование коэффициента поглощения в $n$-PbTe, легированном бором”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 475–478 |
|
1983 |
21. |
А. Н. Вейс, В. И. Кайданов, С. А. Немов, “Энергетический спектр твердых растворов PbSe$_{1-x}$Te$_{x}$,
легированных примесью таллия”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1948–1952 |
22. |
А. Н. Вейс, “Особенности спектральных зависимостей коэффициента поглощения
в халькогенидах свинца, легированных индием, в области края фундаментальной
полосы”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 363–366 |
|