Структура зоны проводимости теллурида висмута по данным оптического поглощения

Проведены исследования спектральных зависимостей коэффициента оптического поглощения $n$-Bi$_{2}$Te$_{3}$ в диапазоне 40–300 мэВ в зависимости от концентрации электронов и толщины образцов при комнатной температуре с целью определения параметров дополнительной подзоны в зоне проводимости теллурида висмута и ее возможного влияния на транспорт носителей заряда. Показано, что теллурид висмута является прямозонным полупроводником с дополнительной подзоной в зоне проводимости. Эти данные согласуются с исследованиями квантовых осцилляций в $n$-Bi$_{2}$Te$_{3}$ в сильных магнитных полях при температурах ниже 20 K.