|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
И. О. Майборода, И. А. Черных, В. С. Седов, А. С. Алтахов, А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, Е. М. Колобкова, А. К. Мартьянов, В. И. Конов, М. Л. Занавескин, “Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 13–16   ; I. O. Mayboroda, I. A. Chernykh, V. S. Sedov, A. Altakhov, A. A. Andreev, Yu. V. Grishchenko, E. M. Kolobkova, A. K. Martyanov, V. I. Konov, M. L. Zanaveskin, “Substrates with diamond heat sink for epitaxial GaN growth”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 353–356 |
|
2017 |
| 2. |
В. А. Тарала, А. С. Алтахов, М. Г. Амбарцумов, В. Я. Мартенс, “Выращивание ориентированных пленок AlN на подложках сапфира методом плазмоактивированного атомно-слоевого осаждения”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 67–73 ; V. A. Tarala, A. Altakhov, M. G. Ambartsumov, V. Ya. Martens, “Growing oriented AlN films on sapphire substrates by plasma-enhanced atomic layer deposition”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 74–77 |
4
|
|
2016 |
| 3. |
А. С. Алтахов, Р. И. Горбунов, Л. А. Кашарина, Ф. Е. Латышев, В. А. Тарала, Ю. Г. Шретер, “Буферные слои аморфного углерода для отделения свободных пленок нитрида галлия”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 32–38 ; A. Altakhov, R. I. Gorbunov, L. A. Kasharina, F. E. Latyshev, V. A. Tarala, Yu. G. Shreter, “Amorphous carbon buffer layers for separating free gallium nitride films”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1076–1078 |
4
|
|
Обратная связь: