|
Термомеханические эффекты радиационного происхождения в изделиях микроэлектроники
Ю. А. Волковa, М. Ю. Выростковb, М. Б. Марковa, И. А. Таракановa a Федеральное государственное учреждение «Федеральный исследовательский центр Институт прикладной математики имени М.В. Келдыша Российской академии наук»
b Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский университет «МЭИ»
Аннотация:
Представлена математическая модель термомеханического воздействия проникающего излучения на изделие микроэлектроники. Модель основана на уравнениях термоупругости, которые являются следствием квантовых кинетических уравнений для фононов. Перенос тепла описан законом сохранения энергии и уравнением Каттанео, которое учитывает конечность скорости распространение тепла. Колебания решетки рассмотрены в приближении линейной теории упругости. В целом модель определяет распределение температуры, потока энергии, деформации и напряжения. Разработаны разностные схемы для решения уравнений модели. Эффективность разработанной модели проверена путем решения задачи о термоударе.
Ключевые слова:
проникающее излучение, термоупругость, фононы, теплопроводность, разностная схема, тепловой удар.
Поступила в редакцию: 16.09.2021 Исправленный вариант: 16.09.2021 Принята в печать: 08.11.2021
Образец цитирования:
Ю. А. Волков, М. Ю. Выростков, М. Б. Марков, И. А. Тараканов, “Термомеханические эффекты радиационного происхождения в изделиях микроэлектроники”, Матем. моделирование, 34:2 (2022), 58–70
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/mm4354 https://www.mathnet.ru/rus/mm/v34/i2/p58
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 173 | PDF полного текста: | 59 | Список литературы: | 28 | Первая страница: | 5 |
|