|
Твердотельная электроника
Моделирование линии задержки на обменных спиновых волнах
В. В. Тихонов, В. А. Губанов, А. С. Пташенко, А. В. Садовников Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского, 410012 Саратов, Россия
Аннотация:
Предложено новое инновационное устройство – миниатюрная управляемая линия задержки СВЧ сигнала на основе коротковолновых обменных спиновых волн (ОСВ). Линия задержки выполнена на основе трехслойной эпитаксиальной структуры диэлектрик-феррит-диэлектрик. Преобразование электромагнитного сигнала в ОСВ осуществляется в тонком переходном слое на границе диэлектрик-феррит. ОСВ распространяется в поперечном направлении слоя феррита и вновь преобразуется в электромагнитный сигнал в переходном слое на противоположной границе феррит-диэлектрик. Длительность задержки прошедшего сигнала определяется толщиной слоя феррита и может регулироваться внешним намагничивающим полем. Показано, что в трехслойной структуре на основе эпитаксиальных пленок гадолиний-галлиевого граната, выращенных на подложке железоиттриевого граната (ЖИГ), длительность задержки СВЧ сигнала может достигать несколько десятков наносекунд при толщине слоя ЖИГ 100 mm.
Ключевые слова:
спиновые волны, железоиттриевый гранат, гадолиний-галлиевый гранат, задержка СВЧ сигнала.
Поступила в редакцию: 08.08.2023 Исправленный вариант: 27.11.2023 Принята в печать: 28.11.2023
Образец цитирования:
В. В. Тихонов, В. А. Губанов, А. С. Пташенко, А. В. Садовников, “Моделирование линии задержки на обменных спиновых волнах”, ЖТФ, 94:2 (2024), 255–260
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6710 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v94/i2/p255
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 10 | PDF полного текста: | 7 |
|