Loading [MathJax]/jax/output/CommonHTML/jax.js
Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2024, том 94, выпуск 2, страницы 248–254
DOI: https://doi.org/10.61011/JTF.2024.02.57079.177-23 (Mi jtf6709) 		 
Твердотельная электроника

Определение доминирующего механизма сбоев в оперативном запоминающем устройстве микроконтроллера 0.18 μm при импульсном воздействии протонов низких энергий

М. В. Марчукab, О. В. Ткачевb, А. С. Пилипенкоb, С. М. Дубровскихb, А. С. Кустовb, Е. А. Шибаковb, К. В. Сафроновb, А. С. Тищенкоb, В. А. Флегентовb, С. А. Гороховb

a Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, 620002 Екатеринбург, Россия
b Российский федеральный ядерный центр — Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. академика Е. И. Забабахина, 456770 Снежинск, Челябинская обл., Россия
PDF полного текста (792 kB)
DOI: https://doi.org/10.61011/JTF.2024.02.57079.177-23
Аннотация: Исследованы сбои во встроенном оперативном запоминающем устройстве микроконтроллера, облучаемого импульсами протонов низких энергий. Рассмотрены особенности проведения эксперимента по облучению исследуемого образца на лазер-плазменном источнике. Представлены оценка линейных потерь энергии от прямой ионизации протонами чувствительного объема и расчет мощности поглощенной дозы с учетом структуры и химического состава кристалла исследуемого микроконтроллера. Проведено сопоставление результатов с ранее полученными данными по облучению тормозным излучением и анализ карт сбоев. Показано, что сбои в оперативном запоминающем устройстве микроконтроллера обусловлены одиночными радиационными эффектами.
Ключевые слова: протонное излучение, тормозное излучение, микроконтроллер, одиночные сбои, низкоэнергетические протоны, импульсное воздействие, лазерное ускорение.
Поступила в редакцию: 12.07.2023
Исправленный вариант: 13.11.2023
Принята в печать: 06.12.2023
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. В. Марчук, О. В. Ткачев, А. С. Пилипенко, С. М. Дубровских, А. С. Кустов, Е. А. Шибаков, К. В. Сафронов, А. С. Тищенко, В. А. Флегентов, С. А. Горохов, “Определение доминирующего механизма сбоев в оперативном запоминающем устройстве микроконтроллера 0.18 μm при импульсном воздействии протонов низких энергий”, ЖТФ, 94:2 (2024), 248–254
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarTkaPil24}
\by М.~В.~Марчук, О.~В.~Ткачев, А.~С.~Пилипенко, С.~М.~Дубровских, А.~С.~Кустов, Е.~А.~Шибаков, К.~В.~Сафронов, А.~С.~Тищенко, В.~А.~Флегентов, С.~А.~Горохов
\paper Определение доминирующего механизма сбоев в оперативном запоминающем устройстве микроконтроллера 0.18 $\mu$m при импульсном воздействии протонов низких энергий
\jour ЖТФ
\yr 2024
\vol 94
\issue 2
\pages 248--254
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6709}
\crossref{https://doi.org/10.61011/JTF.2024.02.57079.177-23}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=60019968}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6709
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v94/i2/p248
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:8
    PDF полного текста:2
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025