|
Журнал технической физики, 2016, том 86, выпуск 2, страницы 78–84
(Mi jtf6634)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Твердотельная электроника
Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников
Н. И. Солинa, Л. Н. Ромашевa, С. В. Наумовa, А. А. Саранинb, А. В. Зотовb, Д. А. Оляничb, В. Г. Котлярb, О. А. Утасb a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
b Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, г. Владивосток
Аннотация:
Рассмотрены способы управления магниторезистивными параметрами магнитных металлических сверхрешеток, манганитов и магнитных полупроводников. Уменьшая толщину ферромагнитных слоев в сверхрешетках (например, слоев Fe в сверхрешетках Fe/Cr), можно формировать суперпарамагнитные кластерно-слоистые наноструктуры, магнитосопротивление которых слабо зависит от направления внешнего магнитного поля, что для практических приложений такого типа материалов весьма существенно. Создавая вакансии Mn и дополнительно отжигая манганиты лантана в атмосфере кислорода, можно увеличить их магнитосопротивление более чем в 10$^{4}$ раз. Изменяя толщину $p$–$n$-перехода в структуре из ферромагнитных полупроводников можно увеличить их магнитосопротивление на 2–3 порядка.
Поступила в редакцию: 23.10.2014 Исправленный вариант: 24.02.2015
Образец цитирования:
Н. И. Солин, Л. Н. Ромашев, С. В. Наумов, А. А. Саранин, А. В. Зотов, Д. А. Олянич, В. Г. Котляр, О. А. Утас, “Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников”, ЖТФ, 86:2 (2016), 78–84; Tech. Phys., 61:2 (2016), 233–239
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jtf6634 https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v86/i2/p78
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 10 |
|