Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Журнал технической физики, 2016, том 86, выпуск 2, страницы 78–84 (Mi jtf6634)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Твердотельная электроника

Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников

Н. И. Солинa, Л. Н. Ромашевa, С. В. Наумовa, А. А. Саранинb, А. В. Зотовb, Д. А. Оляничb, В. Г. Котлярb, О. А. Утасb

a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
b Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, г. Владивосток
PDF полного текста (382 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Рассмотрены способы управления магниторезистивными параметрами магнитных металлических сверхрешеток, манганитов и магнитных полупроводников. Уменьшая толщину ферромагнитных слоев в сверхрешетках (например, слоев Fe в сверхрешетках Fe/Cr), можно формировать суперпарамагнитные кластерно-слоистые наноструктуры, магнитосопротивление которых слабо зависит от направления внешнего магнитного поля, что для практических приложений такого типа материалов весьма существенно. Создавая вакансии Mn и дополнительно отжигая манганиты лантана в атмосфере кислорода, можно увеличить их магнитосопротивление более чем в 10$^{4}$ раз. Изменяя толщину $p$–$n$-перехода в структуре из ферромагнитных полупроводников можно увеличить их магнитосопротивление на 2–3 порядка.
Поступила в редакцию: 23.10.2014
Исправленный вариант: 24.02.2015
Англоязычная версия:
Technical Physics, 2016, Volume 61, Issue 2, Pages 233–239
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063784216020237
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. И. Солин, Л. Н. Ромашев, С. В. Наумов, А. А. Саранин, А. В. Зотов, Д. А. Олянич, В. Г. Котляр, О. А. Утас, “Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников”, ЖТФ, 86:2 (2016), 78–84; Tech. Phys., 61:2 (2016), 233–239
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SolRomNau16}
\by Н.~И.~Солин, Л.~Н.~Ромашев, С.~В.~Наумов, А.~А.~Саранин, А.~В.~Зотов, Д.~А.~Олянич, В.~Г.~Котляр, О.~А.~Утас
\paper Магниторезистивные свойства наноструктурированных магнитных металлов, манганитов и магнитных полупроводников
\jour ЖТФ
\yr 2016
\vol 86
\issue 2
\pages 78--84
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jtf6634}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25669208}
\transl
\jour Tech. Phys.
\yr 2016
\vol 61
\issue 2
\pages 233--239
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063784216020237}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf6634
  • https://www.mathnet.ru/rus/jtf/v86/i2/p78
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Журнал технической физики Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024