|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Полупроводники
Линейно-циркулярный дихроизм в полупроводнике со сложной валентной зоной с учетом четырехфотонного поглощения света
Р. Я. Расулов, В. Р. Расулов, И. М. Эшболтаев Ферганский государственный университет
Аннотация:
Теоретически исследован линейно-циркулярный дихроизм многофотонного поглощения света в полупроводниках со сложной валентной зоной.
Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа $p$-GaAs. При этом учтены переходы, связанные как с неодновременным поглощением отдельных фотонов, так и одновременным поглощением двух фотонов. Получено выражение для температурной зависимости коэффициента многофотонного поглощения поляризованного излучения, где учтены оптические переходы между подзонами тяжелых и легких дырок полупроводника.
Поступила в редакцию: 24.05.2016
Образец цитирования:
Р. Я. Расулов, В. Р. Расулов, И. М. Эшболтаев, “Линейно-циркулярный дихроизм в полупроводнике со сложной валентной зоной с учетом четырехфотонного поглощения света”, Физика твердого тела, 59:3 (2017), 453–457; Phys. Solid State, 59:3 (2017), 463–468
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9634 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i3/p453
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 16 |
|