Параметрический резонанс и фотогальванические токи в слоистом кристалле TlGaSe$_{2}$

Представлены результаты феноменологического исследования кинетики аномального фотоотклика слоистого сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe$_{2}$ в области температур $T\sim$ 170–280 K, соответствующей параэлектрической фазе кристалла. С учетом изменений с температурой кинетики фотоотклика предложены основные механизмы возникновения аномалий, связанные с пространственной неоднородностью локализованных и нелокализованных зарядов в объеме кристалла. Предложен механизм возникновения параметрического резонанса как обусловленного фотогальваническими токами в кристалле.