|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Полупроводники
Параметрический резонанс и фотогальванические токи в слоистом кристалле TlGaSe$_{2}$
А. П. Одринскийa, M.-H. Yu. Seyidovbc, Т. Г. Мамедовb, В. Б. Алиеваb a Институт технической акустики НАН Беларуси, г. Витебск
b Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
c Department of Physics, Gebze Technical University, Gebze, Kocaeli, Turkey
Аннотация:
Представлены результаты феноменологического исследования кинетики аномального фотоотклика слоистого сегнетоэлектрика-полупроводника TlGaSe$_{2}$ в области температур $T\sim$ 170–280 K, соответствующей параэлектрической фазе кристалла. С учетом изменений с температурой кинетики фотоотклика предложены основные механизмы возникновения аномалий, связанные с пространственной неоднородностью локализованных и нелокализованных зарядов в объеме кристалла. Предложен механизм возникновения параметрического резонанса как обусловленного фотогальваническими токами в кристалле.
Поступила в редакцию: 18.05.2016
Образец цитирования:
А. П. Одринский, M.-H. Yu. Seyidov, Т. Г. Мамедов, В. Б. Алиева, “Параметрический резонанс и фотогальванические токи в слоистом кристалле TlGaSe$_{2}$”, Физика твердого тела, 59:3 (2017), 447–452; Phys. Solid State, 59:3 (2017), 457–462
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9633 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i3/p447
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 23 | PDF полного текста: | 5 |
|