Электропроводность монокристаллов твердых растворов GaSe$_{x}$Te$_{1-x}$ в сильных электрических полях

Представлены результаты исследования эффекта Пула–Френкеля с учетом экранирования в слоистых монокристаллах GaSe, GaTe и твердых растворах на их основе в сильных электрических полях до 10$^{5}$ V/cm при температурах 103–250 K. В соответствии с соотношением $\bigl(\frac{\sigma}{\sigma(0)}\bigr)^{1/2}\lg\frac{\sigma}{\sigma(0)}=E\sqrt{\frac{\varepsilon}{4\pi n(0)kT}}$ наблюдается линейная зависимость между $\bigl(\frac{\sigma}{\sigma(0)}\bigr)^{1/2}\lg\frac{\sigma}{\sigma(0)}$ и величиной электрического поля $E$ ($\sigma$ – электропроводность в сильных электрических полях, $\sigma(0)$ – электропроводность в области выполнения закона Ома). Определены наклоны этих прямых при различных температурах (103–250 K) на основании оценки концентрации $n(0)$ = 3 $\cdot$ 10$^{13}$–5 $\cdot$ 10$^{15}$ cm$^{-3}$ носителей тока в омической области электропроводности твердых растворов слоистых монокристаллов GaSe$_{x}$Te$_{1-x}$ ($x$ = 1.00, 0.95, 0.90, 0.80, 0.70, 0.30, 0.20, 0.10, 0).