Processing math: 100%
Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2017, том 59, выпуск 6, страницы 1056–1059
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2017.06.44476.363 (Mi ftt9543) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Полупроводники

Особенности электропереноса в структуре фоторефрактивного легированного кристалла Bi12TiO20:Ru

В. Т. Аванесян, К. И. Пайма, В. М. Стожаров

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (149 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTT.2017.06.44476.363
Аннотация: Изучена проводимость кристаллов Bi12TiO20:Ru на переменном токе в интервале частот 102 … 106 Hz и температур 293 … 773 K. Анализ экспериментальных данных проводится в рамках модели коррелированных барьерных прыжков. В исследуемом материале потенциальные барьеры обусловлены наличием блочной структуры, дефектов кристаллической решетки, а также присутствием примеси рутения. В легированных монокристаллах титаната висмута определены микропараметры, характеризующие процесс переноса заряда.
Поступила в редакцию: 28.09.2016
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2017, Volume 59, Issue 6, Pages 1076–1079
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783417060026
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Т. Аванесян, К. И. Пайма, В. М. Стожаров, “Особенности электропереноса в структуре фоторефрактивного легированного кристалла Bi12TiO20:Ru”, Физика твердого тела, 59:6 (2017), 1056–1059; Phys. Solid State, 59:6 (2017), 1076–1079
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AvaPaiSto17}
\by В.~Т.~Аванесян, К.~И.~Пайма, В.~М.~Стожаров
\paper Особенности электропереноса в структуре фоторефрактивного легированного кристалла Bi$_{12}$TiO$_{20}$:Ru
\jour Физика твердого тела
\yr 2017
\vol 59
\issue 6
\pages 1056--1059
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9543}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTT.2017.06.44476.363}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29405109}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2017
\vol 59
\issue 6
\pages 1076--1079
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783417060026}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9543
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v59/i6/p1056
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    1. M. Isik, N. M. Gasanly, N. H. Darvishov, V. E. Bagiev, “Spectroscopic ellipsometry study of Bi12TiO20 single crystals”, J Mater Sci: Mater Electron, 32:6 (2021), 7019  crossref
    2. В. Т. Аванесян, И. В. Писковатскова, “Фотодиэлектрический эффект в кристаллах силленита Bi12SiO20”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 22–24  mathnet  crossref; V. T. Avanesyan, I. V. Piskovatskova, “Photodielectric effect in Bi12SiO20 sillenite crystals”, Semiconductors, 54:1 (2020), 19–21  mathnet  crossref
    3. В. Т. Аванесян, И. В. Писковатскова, В. М. Стожаров, “Влияние рентгеновского излучения на оптические свойства фоторефрактивных кристаллов силиката висмута”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1043–1046  mathnet  crossref; V. T. Avanesyan, I. V. Piskovatskova, V. M. Stozharov, “Effect of X-ray radiation on the optical properties of photorefractive bismuth-silicate crystals”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1024–1027  mathnet  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    math-net2025_04@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025