Ю. Б. Лянда-Геллер, Р. Я. Расулов, “Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ $p$-типа. 2. Баллистический вклад”, Физика твердого тела, 27:4 (1985), 945

Физика твердого тела

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Правила для авторов

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Физика твердого тела, 1985, том 27, выпуск 4, страницы 945–951 (Mi ftt1873)

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ $p$-типа. 2. Баллистический вклад

Ю. Б. Лянда-Геллер, Р. Я. Расулов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, г. Ленинград

PDF полного текста (911 kB) Список цитирования (1)

Аннотация: Построена теория баллистического линейного фотогальванического эффекта, связанного с возникновением направленной скорости дырок при оптических переходах между ветвями вырожденной валентной зоны с участием фононов. Приведен количественный расчет баллистического и сдвигового вкладов в ЛФГЭ в $p$-GaAs. Результаты расчета сравниваются с ранее опубликованными экспериментальными данными.

Поступила в редакцию: 19.06.1984

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

УДК: 621.315.592

Образец цитирования: Ю. Б. Лянда-Геллер, Р. Я. Расулов, “Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ $p$-типа. 2. Баллистический вклад”, Физика твердого тела, 27:4 (1985), 945–951

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{LyaRas85}

\by Ю.~Б.~Лянда-Геллер, Р.~Я.~Расулов

\paper Линейный фотогальванический эффект в~полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ $p$-типа. 2.~Баллистический вклад

\jour Физика твердого тела

\yr 1985

\vol 27

\issue 4

\pages 945--951

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt1873}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/ftt1873

https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v27/i4/p945

Цикл статей

Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ $p$-типа. Сдвиговый вклад
Е. Л. Ивченко, Г. Е. Пикус, Р. Я. Расулов
Физика твердого тела, 1984, 26:11, 3362–3368
Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках A$_{3}$B$_{5}$ $p$-типа. 2. Баллистический вклад
Ю. Б. Лянда-Геллер, Р. Я. Расулов
Физика твердого тела, 1985, 27:4, 945–951

Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	63
PDF полного текста:	38

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы