|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
А. В. Андрианов, А. Н. Алешин, С. Н. Аболмасов, Е. И. Теруков, Е. В. Берегулин, “Генерация терагерцового излучения при фемтосекундном лазерном возбуждении многослойной структуры на основе a-Si:H/a-SiC:H/c-Si”, Письма в ЖЭТФ, 116:12 (2022), 825–829  ; A. V. Andrianov, A. N. Aleshin, S. N. Abolmasov, E. I. Terukov, E. V. Beregulin, “Generation of terahertz radiation under the femtosecond laser excitation of a multilayer structure based on a-Si:H/a-SiC:H/c-Si”, JETP Letters, 116:12 (2022), 859–862 |
1
|
|
2020 |
| 2. |
О. М. Сресели, М. А. Елистратова, Д. Н. Горячев, Е. В. Берегулин, В. Н. Неведомский, Н. А. Берт, А. В. Ершов, “Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1112–1116  ; O. M. Sreseli, M. A. Elistratova, D. N. Goryachev, E. V. Beregulin, V. N. Nevedomskiy, N. A. Bert, A. V. Ershov, “Electrical and photoelectric properties of $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ and $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ multilayer nanostructures on $p$-Si substrates annealed at various temperatures”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1315–1319 |
1
|
|
2019 |
| 3. |
Г. В. Ли, Е. В. Астрова, Н. Е. Преображенский, А. М. Румянцев, С. И. Павлов, Е. В. Берегулин, “Отрицательные электроды для литий-ионных аккумуляторов, полученные фотоанодированием кремния солнечной градации”, ЖТФ, 89:5 (2019), 711–716 ; G. V. Li, E. V. Astrova, N. E. Preobrazhenskii, A. M. Rumyantsev, S. I. Pavlov, E. V. Beregulin, “Negative electrodes for lithium-ion batteries obtained by photoanodization of solar-grade silicon”, Tech. Phys., 64:5 (2019), 660–665 |
2
|
|
1989 |
| 4. |
Е. В. Берегулин, С. Д. Ганичев, К. Ю. Глух, Ю. Б. Лянда-Геллер, И. Д. Ярошецкий, “Линейный фотогальванический эффект в $p$-GaAs в классической области частот”, Физика твердого тела, 31:1 (1989), 115–117  |
|
1988 |
| 5. |
Е. В. Берегулин, С. Д. Ганичев, К. Ю. Глух, Ю. Б. Лянда-Геллер, И. Д. Ярошецкий, “Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках в субмиллиметровой области спектра”, Физика твердого тела, 30:3 (1988), 730–736 |
|
1986 |
| 6. |
Е. В. Берегулин, С. Д. Ганичев, И. Д. Ярошецкий, “Нелинейное поглощение света в $p$-Ge в ИК области спектра”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1180–1183 |
|
1982 |
| 7. |
Е. В. Берегулин, П. М. Валов, С. Д. Ганичев, З. Н. Кабакова, И. Д. Ярошецкий, “Низкопороговое устройство для пассивной синхронизации мод импульсных ИК лазеров”, Квантовая электроника, 9:2 (1982), 323–327 [E. V. Beregulin, P. M. Valov, S. D. Ganichev, Z. N. Kabakova, I. D. Yaroshetskiǐ, “Low-voltage device for passive mode locking of pulsed infrared lasers”, Sov J Quantum Electron, 12:2 (1982), 175–178 ] |
1
|
|
1978 |
| 8. |
Е. В. Берегулин, П. М. Валов, С. М. Рывкин, Д. В. Тархин, И. Д. Ярошецкий, “Сверхмалоинерционный неохлаждаемый фотоприемник на основе внутризонной μ-фотопроводимости”, Квантовая электроника, 5:6 (1978), 1386–1389 [E. V. Beregulin, P. M. Valov, S. M. Ryvkin, D. V. Tarkhin, I. D. Yaroshetskiǐ, “Very-fast-response uncooled photodetector based on intraband μ-photoconductivity”, Sov J Quantum Electron, 8:6 (1978), 797–799] |
3
|
|
Обратная связь: